В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > ВЗПП

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



КС1055ХП1

Контроллер системы зажигания автомобилей

    Интегральные микросхемы представляют собой контроллер системы электронного зажигания. Предназначены для использования в бесконтактных системах электронного зажигания, использующих в качестве датчика чувствительный элемент, работающий на эффекте Холла. Обеспечивают: непосредственное управление внешним мощным транзистором (схема Дарлингтона) типа КТ897А (КТ897Б) или КТ898А (КТ989Б) в ключевом режиме и управление временем накопления энергии в катушке зажигания; ограничение пикового значения тока в катушке зажигания; восстановление времени накопления энергии, если не достигнуто 94% значения номинального тока; управление тахометром; защиту от постоянного тока; защиту внешнего мощного транзистора от перенапряжения; защиту при неправильном подключении аккумулятора. Имеют встроеный стабилитрон в цепи питания.

Характеристики
  • Непосредственное управление внешним выходным транзистором Дарлингтона
  • Регулирование угла опережения зажигания
  • Ограничение максимального тока катушки
  • Программируемое время восстановления при не достижении тока катушки 94% от номинала
  • Выход управления тахометром
  • Защита от постоянной проводимости
  • Защита внешнего транзистора Дарлингтона от перенапряжения
  • Встроенный защитный стабилитрон по шине питания
  • Защита от неправильной коммутации аккумуляторной батареи

Предельные параметры

Обозн. Параметр Значение Ед.измерения
I3 Ток источника питания
Импульсный ток источника питания
(длительностью tf<100мсек)
200
800
мА
V3 Напряжение питания внутр.ограничено
до VZ3
 
V6 Напряжение PRM 28 B
I16 Ток коллектора формирователя DC
Импульс (t<3 мсек)
300
600
мА
V16 Напряжение коллектора формирователя 28 В
V16 Зенеровский ток перенапряжения DC
Импульс tпадения =300 мкс,
tREO Время повторения >3 мс
 
15
35
мА
VR Обратное напряжение батареи -16 В
TJ, TSTG Температурный диапазон перехода и хранения -55 до 150 °C
Ptot Мощность рассеяния при Tamb=90°C для ВШЗ-16 0Ю65 Вт

Тепловое сопротивление

Rth j-amb Тепловое сопротивление кристалл-окр.среда 90 °C/W

Электрические характеристики

(VS=14.4B,-40°C<TJ <125°C, если не оговорено другое)
Обозначение Параметр Условия измерения Мин. Тип. Макс. Ед.измер.
V3 Минимальное рабочее напряжение   3.5     В
I3 Ток источника питания V3=6B
V3=4B
5
7
18 25
16
мА
VS Источник напряжения       28 В
VZ3 Напряжение уровня фиксации питания стабилитрона IZ3=70мА 6.6 7.5 8.2 В
V5 Входное напряжение Низкое состояние
Высокое состояние
 
2.5
  0.6
 
В
В
I5 <Входной ток V5=низкое -400   -50 мкА
V16-14 Ток насыщения формирователя пары Дарлингтона I14=50мА
I14=180мА
    0.5
0.9
В
В
VSENS Ограничивающее ток считывающее напряжение VS=6 до 16В 260 320 370 мВ
I11C Ток зарядки CW VS=5.3 до 16В
V11=0.5B
T=10 до 33 мс
-11.0 -9.3 -7.8 мкА
I11D Ток разрядки CW VS=5.3 до 16В
V11=0.5B
T=10 до 33мс
0.5 0.7 1.0 мкА
I11C/I11D   VS=5.3 до 16В
V11=0/5D
T=10 до 33мс
7.8   22.0  
ISRC/ISENSE Процент выходного тока, определяющий запуск регулирования
медленного восстановления
  90 94 98.5 %
TSRC Продолжительность измененного коэффициента td/T
после запуска функции SRC (регулировки медленного
восстановления)
СSRC=1 мкФ
R7=62 кОм
  0.8   с
VZ15 Напряжение стабилитрона защиты от перенапряжения
пары Дарлингтона
I15=5мА
I15=2мА
19
18
22.5
21.5
26
25
В
В
TP Время постоянной (остаточной)
электропроводности
V5=ВЫСОКОЕ
CP=1мкФ
R7=62кОм
0.4 1.1 1.8 с
V6SAT Напряжение насыщения выхода RPM I6=18.5мА
I6=25мА
    0.5
0.9
В
В
I6 leak Ток утечки выхода RPM V6=20B     50 мкА
VZ7 Напряжение вспомогательного стабилитрона I7=200мкА 18   27 В
V12 Опорное напряжение   1.20 1.25 1.35 В





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники