В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > Силовые полупроводники > IGBT серии SEMITRANS

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SKM75GB176D

IGBT- модуль SEMITRANS 2 с пазовым исполнением затвора (Trench IGBT) на напряжение 1700В

Отличительные особенности:

  • Гомогенная кремниевая структура
  • Технология пазового исполнения затвора (Trench)
  • Напряжение VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока до 6 х Ic

Области применения:

  • Инверторы для управления асинхронными приводами с питанием от сети переменного тока 575-750В
  • Общественный транспорт
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1700 В
IC ток коллектора Tc = 25 (80)°C 80 (55) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 100 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая Tstg - 40 ... + 150 (125) °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 4000 В
Обратный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 80 (55) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 100 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 550 A


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 2 мА 5,2 5,8 6,4 В
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 () °C   0,1 0,3 мА
VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 () °C   1 (0,9) 1,2 (1,1) В
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C   20 (31) 25 (36) мОм
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 50 A, VGE = 15В, на уровне кристалла   2 (2,45) 2,45 (2,9) В
 
Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   4   нФ
Coes выходная емкость   0.4   нФ
Cres обратная переходная емкость   3   нФ
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     30 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C   0,75 (1)   мОм
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 1200 В, ICnom = 50 A       нс
tr время нарастания RGon = RGoff = 20 Ом, Tj = 125 °C       нс
td(off) длительность задержки выключения VGE = +15В       нс
tf время спада         нс
Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)         мДж
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 50 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   1,7 (1,8) 1,9 (2) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   1,1 (0,9) 1,3 (1,1) В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   12 (18) 12 (18) мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 50 A; Tj = 125 ( ) °C       A
Qrr заряд восстановления di/dt = A/мкс       мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В       мДж
Тепловые характеристики
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,16 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,38 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,55 K/Вт
Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля     0,05 K/Вт
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       160 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS2:

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS2

Схема модулей:

Схема модулей SKM75GB176D

Расположение выводов:

Расположение выводов SKM75GB176D

Документация:

  647 Kb Engl Описание модулей SKM75GB176D
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники