В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > Силовые полупроводники > IGBT серии SEMITRANS

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SKM200GB125D, SKM200GAL125D, SKM200GAR125D

Ультрабыстродействующие IGBT- модули SEMITRANS 3 на напряжение 1200В

Отличительные особенности:

  • МОП-вход (управляемый напряжением)
  • N-канальная гомогенная кремниевая структура
  • Корпус с малой индуктивностью
  • Малый хвостовой ток с низкой температурной зависимостью
  • Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока до 6 х Ic
  • Исключено защелкивание
  • Быстродействующие инверсные CAL-диоды с плавным восстановлением
  • Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки
  • Большой зазор (12 мм) и путь утечки (20 мм)

Области применения:

  • Импульсные источники питания с fпреобр. > 20 кГц
  • Резонансные инверторы до 100 кГц
  • Оборудование индукционного нагрева
  • Электронные сварочные аппараты с fпреобр > 20 кГц
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
IC ток коллектора Tc = 25 (80)°C 200 (160) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 300 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая Tstg - 40 ... + 150 (125) °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 4000 В
Обратный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 200 (130) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 300 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 1450 A
Свободный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 200 (130) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 300 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 1450 A


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 6 мА 4,5 5,5 6,5 В
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C   0,15 0,45 мА
VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 (125) °C   1,5 1,75 В
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C   12 14 мОм
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 150 A, VGE = 15В, на уровне кристалла   3,3 3,85 В
 
Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   10 13 нФ
Coes выходная емкость   1.5 2 нФ
Cres обратная переходная емкость   0.8 1.2 нФ
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C   0,35 (0,5)   мОм
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 600 В, ICnom = 150 A   75   нс
tr время нарастания RGon = RGoff = 4 Ом, Tj = 125 °C   36   нс
td(off) длительность задержки выключения VGE = +15В   420   нс
tf время спада     25   нс
Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)     14 (8)   мДж
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 150 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   2 (1,8) 2,5 В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   1,1 1,2 В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C   6 8,7 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 150 A; Tj = 125 ( ) °C   230   A
Qrr заряд восстановления di/dt = 5500 A/мкс   24   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В   6,3   мДж
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 150 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   2 (1,8) 2,5 В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   1,1 1,2 В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C   6 8.7 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 150 A; Tj = 125 ( ) °C   230   A
Qrr заряд восстановления di/dt =5500 A/мкс   24   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE =0 В   6.3   мДж
Тепловые характеристики
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,09 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,25 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,25 K/Вт
Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля     0,038 K/Вт
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3:

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3

Схемы модулей:

Схемы модулей SKM200GB125D, SKM200GAL125D, SKM200GAR125D

Расположение выводов:

Расположение выводов  SKM200GB125DРасположение выводов  SKM200GAL125D
Расположение выводов  SKM200GAR125D

Документация:

  817 Kb Engl Описание модулей SKM200GB125D, SKM200GAL125D, SKM200GAR125D
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники