В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > Силовые полупроводники > IGBT серии SEMITRANS

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SKM200GB176D, SKM200GAL176D

IGBT- модуль SEMITRANS 3 с пазовым исполнением затвора (Trench IGBT) на напряжение 1700В

Отличительные особенности:

  • Гомогенная кремниевая структура
  • Технология пазового исполнения затвора (Trench)
  • Напряжение VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока до 6 х Ic

Области применения:

  • Инверторы для управления асинхронными приводами с питанием от сети переменного тока 575-750В
  • Общественный транспорт
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1700 В
IC ток коллектора Tc = 25 (80)°C 260 (180) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 300 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая Tstg - 40 ... + 150 (125) °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 4000 В
Обратный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 210 (140) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 300 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 1100 A
Свободный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 210 (140) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 300 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 1100 A


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 6 мА 5 5,8 6,4 В
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 () °C   0,1 0,3 мА
VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 () °C   1 (0,9) 1,2 (1,1) В
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C   6,7 (10) 8,3 (12) мОм
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 150 A, VGE = 15В, на уровне кристалла   2 (2,4) 2,45 (2,9) В
 
Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   12,3   нФ
Coes выходная емкость   1.3   нФ
Cres обратная переходная емкость   1   нФ
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C   0,35 (0,5)   мОм
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 1200 В, ICnom = 150 A   360   нс
tr время нарастания RGon = RGoff = 5 Ом, Tj = 125 °C   45   нс
td(off) длительность задержки выключения VGE = +15В   760   нс
tf время спада     140   нс
Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)     93 (58)   мДж
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 150 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   1,7 (1,7) 1,9 (1,9) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   1,1 (0,9) 1,3 (1,1) В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   4 (5,3) 4 (5,3) мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 150 A; Tj = 125 ( ) °C   195   A
Qrr заряд восстановления di/dt = 3700 A/мкс   52   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В   31   мДж
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 150 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   1,7 (1,7) 1,9 (1,9) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   1,1 (0,9) 1,3 (1,1) В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   4 (5,3) 4 (5,3) мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 150 A; Tj = 125 ( ) °C   195   A
Qrr заряд восстановления di/dt = 3700 A/мкс   52   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В   31   мДж
Тепловые характеристики
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,12 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,25 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,25 K/Вт
Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля     0,038 K/Вт
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3:

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3

Схемы модулей:

Схемы модулей SKM200GB176D, SKM200GAL176D

Расположение выводов:

Расположение выводов SKM200GB176DРасположение выводов  SKM200GAL176D

Документация:

  744 Kb Engl Описание модулей SKM200GB176D, SKM200GAL176D
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники