В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > Силовые полупроводники > IGBT серии SEMITRANS

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SKM195GB066D

IGBT-модуль с пазовым исполнением затвора SEMITRANS 2

Отличительные особенности:

  • Гомогенная кремниевая структура
  • Технология пазового исполнения затвора
  • Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
  • Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение до 6 х Ic

Области применения:

  • Привода с инверторами переменного тока
  • Источники бесперебойного питания
  • Электронные сварочные аппараты

Примечания:

  • Максимальная температура корпуса Tc = 125°C максимум, рекомендуемая рабочая температура Top = -40 ... +150°C, данные по надежности действительны для Tj150°C
  • Данные по режиму короткого замыкания: tp6 мкс; VGE15В; Tj=150°C; Vcc360В, необходимо использование смягчающего резистора RG!
  • Учитывайте возможность образования перенапряжений под влиянием паразитной индуктивности.
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   600 В
IC ток коллектора Tc = 25 (80)°C, Tj=150°C 240 (170) А
IC ток коллектора Tc = 25 (80)°C, Tj=175°C 265 (200) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 400 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая <= Tstg - 40 ... + (175) 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 4000 В
Обратный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C, Tj=150°C 200 (130) A
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C, Tj=175°C 220 (160) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 400 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 175 °C   A


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 2.4 мА 5,0 5,8 6,5 В
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (150) °C   0,13 0,38 мА
VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 (150) °C   0,9 (0.85) 1 (0.9) В
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (150) °C   2,8 (4,3) 4,5 (6) мОм
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 150 A, VGE = 15В, на уровне кристалла   1,45 (1,7) 1,9 (2,1) В
 
Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   12,3   нФ
Coes выходная емкость   0,77   нФ
Cres обратная переходная емкость   0,37   нФ
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     30 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C   0,75 (1)   мОм
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 300 В, ICnom = 200 A   160   нс
tr время нарастания RGon = RGoff = 3 Ом, Tj = 150 °C   68   нс
td(off) длительность задержки выключения VGE = -8В/+15В   520   нс
tf время спада     49   нс
Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)     14 (8)   мДж
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 200 A; VGE = 0В; Tj = 25 (150) °C   1,4 1,6 В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 (150) °C   0,95 1 В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 (150) °C   2,3 3 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 200 A; Tj = 150 ( ) °C   100   A
Qrr заряд восстановления di/dt = 2000 A/мкс   30   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В   5.6   мДж
Тепловые характеристики
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,22 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,4 K/Вт
Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля     0,05 K/Вт
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       150 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS2:

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS2

Схема модуля:

Схема модуля SKM195GB066D

Расположение выводов:

Расположение выводов SKM195GB066D

Документация:

  963 Kb Engl Описание модулей
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники