В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > Силовые полупроводники > IGBT серии SEMITRANS

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SKM145GB128D, SKM145GAL128D, SKM145GAR128D

Модули SPT IGBT-транзисторов SEMITRANS 2

Отличительные особенности:

  • Гомогенная кремниевая структура
  • Технология SPT
  • Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
  • Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока коллектора при ограничении напряжения на затворе

Области применения:

  • Инверторы переменного тока для регулирования скорости в электроприводах
  • Источники бесперебойного питания
  • Инверторы сварочных аппаратов с частотами преобразования до 20 кГц
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
IC ток коллектора Tc = 25 (80) °C 190 (135) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 200 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая <= Tstg - 40 ... + (150) 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 4000 В
Обратный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 130 (90) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 200 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 1100 A
Свободный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 130 (90) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 200 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 1100 A


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 4 мА 4,5 5,5 6,5 В
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C   0,1 0,3 мА
VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 (125) °C   1 (0,9) 1,15 (1,05) В
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C   9 (12) 12 (15) мОм
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 100 A, VGE = 15В, на уровне кристалла   1,9 (2,1) 2,35 (2,55) В
 
Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   9   нФ
Coes выходная емкость   1   нФ
Cres обратная переходная емкость   1   нФ
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера   30   нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C   0,75 (1)   мОм
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 600 В, ICnom = 100 A   210   нс
tr время нарастания RGon = RGoff = 3 Ом, Tj = 125 °C   40   нс
td(off) длительность задержки выключения VGE = ± 15В   430   нс
tf время спада     65   нс
Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)     12 (10)   мДж
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 100 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   2 2,5 (1,8) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   1,1 1,4 В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C   9 13 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 100 A; Tj = 125 ( ) °C   120   A
Qrr заряд восстановления di/dt = 3600 A/мкс   18,5   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В   7   мДж
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 100 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   2 (1,8) 2,5 В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   1,1 1,4 В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C   9 13 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 100 A; Tj = 125 ( ) °C   120   A
Qrr заряд восстановления di/dt = 3600 A/мкс   18,5   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В   7   мДж
Тепловые характеристики
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,165 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,36 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,36 K/Вт
Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля     0,05 K/Вт
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       160 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модуля SEMITRANS 2:

Внешний вид модуля SEMITRANS 2

Структурная схема модулей:

Структурная схема модулей SKM145GB128D, SKM145GAL128D, SKM145GAR128D

Расположение выводов:

Расположение выводов SKM145GB128DРасположение выводов SKM145GAL128DРасположение выводов SKM145GAR128D

Документация:

  645 Kb Engl Описание модулей
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники