В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > Силовые полупроводники > IGBT серии SEMITRANS

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SKM100GB173D

Стандартный IGBT- модуль SEMITRANS 2 на напряжение 1700В

Отличительные особенности:

  • МОП-вход (управляемый напряжением)
  • N-канальная гомогенная кремниевая структура
  • Корпус с малой индуктивностью
  • Малый хвостовой ток с низкой температурной зависимостью
  • Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока до 6 х Ic
  • Исключено защелкивание
  • Быстродействующие инверсные CAL-диоды с плавным восстановлением
  • Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (диффузионное соединение меди и керамики) без использования жестких компаундов
  • Большой зазор (10 мм) и путь утечки (20 мм)

Области применения:

  • Инверторные приводы переменного тока с питанием от сети 575-750В
  • Системы с постоянным напряжением шины 750-1200В
  • Общественный транспорт
  • Коммутация (не для линейных цепей)
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1700 В
IC ток коллектора Tc = 25 (80) °C 110 (75) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 150 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая <= Tstg - 40 ... + 150(125) °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 4000 В
Обратный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 80 (50) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 150 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 720 A


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 6 мА 4,8 5,5 6,2 В
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C   0,1 0,3 мА
VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 (125) °C   1,65 (1,9) 1,9 (2,15) В
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C   23,3 (33,3) 26,6 (38) мОм
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 75 A, VGE = 15В, на уровне кристалла   3,4 (4,2) 3,9 (5) В
 
Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   11   нФ
Coes выходная емкость   1   нФ
Cres обратная переходная емкость   0,28   нФ
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера   30   нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C   0,75 (1)   мОм
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 1200 В, ICnom = 75 A   40   нс
tr время нарастания RGon = RGoff = 10 Ом, Tj = 125 °C   45   нс
td(off) длительность задержки выключения VGE = ± 15В   400   нс
tf время спада     56   нс
Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)     35 (21)   мДж
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 75 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   2,2 (2) 2,7 (2,4) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   1,3 1,5 В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C   9 13 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 75 A; Tj = 125 ( ) °C   38 (51)   A
Qrr заряд восстановления di/dt = A/мкс   8 (19)   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В       мДж
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 100 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   2,2 (2) 2,7 (2,4) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   1,2 1,5 В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C   9 13 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 75 A; Tj = 125 ( ) °C       A
Qrr заряд восстановления di/dt = A/мкс   10 (27)   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В       мДж
Тепловые характеристики
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,2 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,63 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,4 K/Вт
Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля     0,05 K/Вт
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       160 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модуля SEMITRANS 2:

Внешний вид модуля SEMITRANS 2

Структурная схема модуля:

Структурная схема модуля SKM100GB173D

Расположение выводов:

Расположение выводов SKM100GB173D

Документация:

  576 Kb Engl Описание модулей
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники