В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > IGBT-транзисторы SEMITOP

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SK80GM063

IGBT-модуль SEMITOP2

Отличительные особенности:

  • Компактная конструкция
  • Монтаж одним винтом
  • Передача тепла и изоляция через DBC-керамику
  • Высокая стойкость к короткому замыканию
  • Малый хвостовой ток с низкой температурной зависимостью

Области применения:

  • Коммутация (не для линейных цепей)
  • Инверторы
  • Импульсные источники питания
  • Источники бесперебойного питания
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   600 В
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
IC ток коллектора Tc = 20 (80) °C 81 (57) А
ICM максимальный ток коллектора tp < 1 мс, Ts = 25 (80) °C 162 (114) А
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
CAL-диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 105 (75) A
IFM = - ICM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 210 (150) A
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
 
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
Tsol температура пайки выводы, 10 сек. 260 °C
VISOL напряжение испытания изоляции действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда 2500/3000 В


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 60 A, Tj = 25 (125) °C   1,8 (1,9) 2,1 (2,3) В
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 0,002мА 4,5 5,5 6,5 В
Cies входная емкость при закороченном выходе VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   5,6   нФ
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для IGBT     0,6 K/Вт
 
td(on) длительность задержки включения при следующих условиях: VCC = 300 В, VGE = ± 15В IC = 60 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 11 Ом индуктивная нагрузка   45 60 нс
tr время нарастания   35 50 нс
td(off) длительность задержки выключения   250 300 нс
tf время спада   25 40 нс
Eon+(Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)   5,3 6,9 мДж
CAL-диод
VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IF = 60 A; Tj = 25 (125) °C   1,3 (1,2) 1,5 (1,45) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   (0,8) (0,9) В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = (125) °C   (5,8) (7,5) мОм
Rth(j-c) тепловое сопротивление       1,2 K/Вт
 
IRRM максимальный ток обратного восстановления при следующих условиях: IF = 60 A, VR = 300 В diF/dt = -500 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C   22 26 A
Qrr заряд восстановления   2,2 3,5 мКл
Err рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления   0,2 0,3 мДж
Механические данные
M1 монтажный вращающий момент       2 Н · м
w масса     19   грамм
  корпус SEMITOP2   Т 35    
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IF - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITOP2:

Внешний вид модулей семейства SEMITOP2

Схема модуля и расположение выводов SK80GM063:

Схема модуля и расположение выводов SK80GM063

Документация:

  522 Kb Engl Описание модулей
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники