В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > IGBT-транзисторы SEMITOP

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SK35GD126ET

3-фазный мостовой инвертор SEMITOP 3

Отличительные особенности:

  • Компактная конструкция
  • Монтаж одним винтом
  • Передача тепла и изоляция через DBC-керамику
  • IGBT-транзистор, выполненный по технологии Tranch (пазовое исполнение затвора)
  • FW-диод, выполненный по технологии CAL
  • Встроенный термистор для измерения температуры

Области применения:

  • Инверторы
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT -транзистор инвертора, прерывателя
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
IC ток коллектора Tc = 25 (80) °C 40 (32) А
ICM максимальный ток коллектора tp 1 мс, Ts = 25 (80) °C 80 (64) А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Диод инвертора, прерывателя
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 34 (23) A
IFM = - ICM максимальный прямой ток, равный отрицательному максимальному току коллектора Ts = 25 (80) °C, tp 1 мс 68 (46) A
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Выпрямитель
VRRM повторяющееся максимальное обратное напряжение     В
IF прямой ток Tc = °C   A
IFSM/ITSM прямой ток перегрузки/ ток перегрузки во включенном состоянии tp = ms , sin ° ,Tj = °C   A
I2t значение I2t tp = ms , sin ° ,Tj = °C   А2с
Tj температура перехода     °C
 
Tsol температура пайки выводы, 10 сек. 260 °C
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда 2500/3000 В


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT -транзистор инвертора, прерывателя
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 35 A, Tj = 25 (125) °C   1,7 (2) 2,1 В
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 1,5 мА 5 5,8 6,5 В
VCE(TO) Пороговое напряжение коллектора-эмиттера Tj = 25 (125) °C   1 (0,9) 1,2 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C   20 (31) 36 мОм
Cies входная емкость при закороченном выходе VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   2,4   нФ
Cоes Выходная емкость при закороченном входе VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   0,5   нФ
Cres Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   0,4   нФ
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для IGBT     1,05 K/Вт
 
td(on) длительность задержки включения при следующих условиях: VCC = 600 В, VGE = ± 15В IC = 35 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 15 Ом индуктивная нагрузка   85   нс
tr время нарастания   30   нс
td(off) длительность задержки выключения   430   нс
tf время спада   90   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения   4,6   мДж
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения   4,3   мДж
Диод инвертора, прерывателя
VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IF = 35 A; Tj = 25 (125) °C   1,8 (1,8) 2,1 В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   1 (0,8) 1,1 В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = (125) °C   23 (31) 29 мОм
Rth(j-c) тепловое сопротивление для одного диода     1,7 K/Вт
 
IRRM максимальный ток обратного восстановления при следующих условиях: IF = 35 A, VR = 600 В diF/dt = 1330 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C   43   A
Qrr заряд восстановления   7   мКл
Err рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления   2,9   мДж
Термистор
Rts сопротивление 5 %, Tr = 25 (100 ) °C   5000 (493)   Ом
Механические данные
M1 монтажный вращающий момент       2,5 Н · м
w масса     30   грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IF - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITOP3:

Внешний вид модулей семейства SEMITOP3

Схема модуля и расположение выводов SK35GD126ET:

Схема модуля и расположение выводов SK35GD126ET

Документация:

  726 Kb Engl Описание модулей
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники