В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > IGBT-транзисторы SEMITOP

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SK13GD063

IGBT-модуль SEMITOP3

Отличительные особенности:

  • Компактная конструкция
  • Монтаж одним винтом
  • Передача тепла и изоляция через DBC-керамику
  • N-канальная гомогенная кремниевая структура (NPT IGBT)
  • Высокая стойкость к короткому замыканию
  • Малый хвостовой ток с низкой температурной зависимостью
  • Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

Области применения:

  • Коммутация (не для линейных цепей)
  • Инверторы
  • Импульсные источники питания
  • Источники бесперебойного питания
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   600 В
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
IC ток коллектора Tc = 20 (80) °C 18 (13) А
ICM максимальный ток коллектора tp < 1 мс, Ts = 25 (80) °C 36 (26) А
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
CAL-диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 22 (15) A
IFM = - ICM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 200 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
 
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
Tsol температура пайки выводы, 10 сек. 260 °C
VISOL напряжение испытания изоляции действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда 2500/3000 В


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 10 A, Tj = 25 (125) °C   2,1 (2,4) 2,5 (2,8) В
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 0,0004 А 4,5 5,5 6,5 В
Cies входная емкость при закороченном выходе VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   0,57   нФ
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для IGBT     2 K/Вт
 
td(on) длительность задержки включения при следующих условиях: VCC = 300 В, VGE = ± 15В IC = 10 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 100 Ом индуктивная нагрузка   45   нс
tr время нарастания   45   нс
td(off) длительность задержки выключения   250   нс
tf время спада   20   нс
Eon+(Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)   1   мДж
CAL-диод
VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IF = 10 A; Tj = 25 (125) °C   1,45 (1,4) 1,7 (1,7) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   (0,85) (0,9) В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = (125) °C   (55) (80) мОм
Rth(j-c) тепловое сопротивление       2,3 K/Вт
 
IRRM максимальный ток обратного восстановления при следующих условиях: IF = 10 A, VR = -300 В diF/dt = -200 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C   6,5   A
Qrr заряд восстановления   0   мКл
Err рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления   0,1   мДж
Механические данные
M1 монтажный вращающий момент       2,5 Н · м
w масса     30   грамм
  корпус SEMITOP 3   Т 12    
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IF - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITOP3:

Внешний вид модулей семейства SEMITOP3

Схема модуля SK13GD063:

Схема модуля SK13GD063

Расположение выводов SK13GD063:

Расположение выводов SK13GD063

Документация:

  602 Kb Engl Описание модулей
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники