В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > IGBT-транзисторы MiniSKiiP

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SkiiP04ACB066V1

3-фазный мостовой выпрямитель + тормозной прерыватель MiniSKiiP 0

Отличительные особенности:

  • Ультрабыстродействующие NPT IGBT-транзисторы
  • Надежные, плавно-пробиваемые диоды, выполненные по технологии CAL (управляемый срок существования носителя)
  • Высоконадежные пружинные контакты для электрических подключений
  • Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

Области применения:

  • Входной мост для инверторов мощностью до 6,3 кВА
  • Двигатели мощностью 4 кВт

Примечания:

  • Температура корпуса ограничивается значением TC = 125°C
  • Характеристики надежности действительны для Tj = 150°C
  • SC-данные: tp 6 мкс; VGE 15В; Tj = 150°C; VCC = 360В
  • VCEsat , VF - значения на уровне кристалла (без учета потерь на контактах)
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-прерыватель
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   600 В
IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C, Tj = 150 °C 26 (20) А
IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C, Tj = 175 °C 27 (22) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tp = 1 мс 40 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Диод инвертора
IF прямой ток Tc = 25 (70) °C, Tj = 150 °C 25 (19) A
IF прямой ток Tc = 25 (70) °C, Tj = 175 °C 28 (22) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tp = 1 мс 40 A
Tj температура перехода - 40 ... + 175 °C
 
ItRMS действующее значение во включенном состоянии для одной силовой клеммы (20A/пружину) 20 A
Tstg температура хранения Top Tstg - 40 ... + 125 °C
Visol напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 2500 B


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор прерывателя
VCE(sat) напряжение насыщения коллектора-эмиттера ICnom = 20 A, Tj = 25 (125) °C 1,1 1,45 (1,65) 1,85 (2,05) В
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 1 мА   5,8   В
VCE(TO) Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) Tj = 25 (150) °C   0,9 (0,85) 1 (0,9) В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (150) °C   30 (43) 45 (60) мОм
Cies Входная емкость при закороченном выходе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   1,13   нФ
Coes выходная емкость при закороченном входе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   0,25   нФ
Cres Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   0,18   нФ
RCC'+EE' сопротивление пружинный контакт-кристалл Ts = 25 (150 )°C       мОм
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного IGBT   1,6   K/Вт
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 300 В, VGE = = -15/+15В ICnom = 20 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 15 Ом индуктивная нагрузка   20   нс
tr время нарастания   30   нс
td(off) длительность задержки выключения   175   нс
tf время спада   50   нс
Eon(Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)   0,8 (0,7)   мДж
Диод прерывателя
VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 20 A; Tj = 25 (150) °C   1,6 (1,65) 1,9 (1,95) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (150) °C   1 (0,9) 1,1 (1) В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (150) °C   30 (37,5) 40 (42,5) мОм
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода   2,5   K/Вт
 
IRRM максимальный ток обратного восстановления IIFnom = 20 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 1240 A/мкс   25   A
Qrr заряд восстановления   2,3   мкКл
Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления   0.2   мДж
Датчик температуры
Rts сопротивление 3 %, Tr = 25 (100) °C   1000 (1670)   Ом
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент   2   2.5 Н · м
m масса       21,5 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SKIIP 0:

Внешний вид модулей семейства SKIIP 0

Схема модуля:

Схема модуля SkiiP04ACB066V1

Типовая схема включения:

Типовая схема включения SkiiP04ACB066V1

Документация:

  1080 Kb Engl Описание модулей
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники