В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > IGBT-транзисторы MiniSKiiP

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SKiiP39AHB16V1

3-фазный мостовой выпрямитель + тормозной прерыватель MiniSKiiP 3

Отличительные особенности:

  • Быстродействующие Tranch IGBT-транзисторы (пазовое исполнение затвора)
  • Надежные, плавно-пробиваемые диоды, выполненные по технологии CAL (управляемый срок существования носителя)
  • Высоконадежные пружинные контакты для электрических подключений
  • Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

Области применения:

  • Входной мост для инверторов мощностью до 45 кВА

Примечания:

  • VCEsat , VF - значения на уровне кристалла (без учета потерь на контактах)
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор прерывателя
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 157 (118) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп 1 мс 280 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Диод прерывателя
IF прямой ток Tc = 25 (70) °C 167 (124) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп 1 мс 280 A
Tj температура перехода - 40 ... + 150 °C
Диод/тиристор выпрямителя
VRRM повторяющееся максимальное обратное напряжение   1600 B
IF/IT прямой ток/ток во включенном состоянии Ts = 70 121 A
IFSM/ITSM прямой ток перегрузки/ ток перегрузки во включенном состоянии tp = 10 мс, sin 180 °, Tj = 25 °C 1250 A
i2t значение i2t tp = 10 мс, sin 180 °, Tj = 25 °C 7800 А2с
Tj температура перехода Диод - 40 ... + 150 °C
Tj температура перехода Тиристор - 40 ... + 125 °C
 
ItRMS действующее значение во включенном состоянии для одной силовой клеммы (20A/пружину) 160 A
Tstg температура хранения Top Tstg - 40 ... + 125 °C
Visol напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 2500 B


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор прерывателя
VCE(sat) напряжение насыщения коллектора-эмиттера ICnom = 140 A, Tj = 25 (125) °C   1,7 (2) 2,1 (2,4) В
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 6 мА 5 5,8 6,5 В
VCE(TO) Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) Tj = 25 (125) °C   1 (0,9) 1,2 (1,1) В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C   5 (7,9) 6,4 (9,3) мОм
Cies Входная емкость при закороченном выходе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   11,2   нФ
Coes выходная емкость при закороченном входе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   1,9   нФ
Cres Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   1,5   нФ
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного IGBT   0,3   K/Вт
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 140 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 5 Ом индуктивная нагрузка   80   нс
tr время нарастания   40   нс
td(off) длительность задержки выключения   500   нс
tf время спада   100   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения   19.9   мДж
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения   17.3   мДж
Диод прерывателя
VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 140 A; Tj = 25 (125) °C   1,5 (1,56) 1,7 (1,7) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   1 (0,8) 1,1 (0,9) В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   3,6 (5) 4,3 (5,7) мОм
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода   0,   K/Вт
 
IRRM максимальный ток обратного восстановления IIFnom = 140 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 4300 A/мкс   210   A
Qrr заряд восстановления   38   мкКл
Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления   16.2   мДж
Диод выпрямителя
VF прямое напряжение IFnom = 90 A; Tj = 25 (125) °C   1,2   В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 150 °C   0,8   В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 150 °C   4   мОм
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода   0,5   K/Вт
Тиристор выпрямителя
VT напряжение во включенном состоянии IFnom = 200 A; Tj = 25 (125) °C     1,65 (1,6) В
VT(TO) пороговое напряжение Tj = 150 °C     0,9 В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 125 °C   3,5   мОм
VGT отпирающее напряжение Tj = 25 °C   3   B
IGT ток отпирания Tj = 25 °C 150     мА
IH ток удержания Tj = 25 °C   150   мА
IL ток срабатывания Tj = 25 °C   300   мА
dv/dt(cr) критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии Tj = 125 °C     1000 В/мкс
di/dt(cr) критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии Tj = 125 °C     100 А/мкс
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного тиристора   0,5   K/Вт
Датчик температуры
Rts сопротивление 3 %, Tr = 25 (100) °C   1000 (1670)   Ом
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент   2   2.5 Н · м
m масса       95 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SKIIP 3:

Внешний вид модулей семейства SKIIP 3

Схема модуля:

Схема модуля SKiiP29AHB08V1

Типовая схема включения:

Типовая схема включения SKiiP29AHB08V1

Документация:

  1385 Kb Engl Описание модулей
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники