В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > IGBT-транзисторы MiniSKiiP

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SKiiP28ANB16V2

3-фазный мостовой выпрямитель + тормозной прерыватель MiniSKiiP 2

Отличительные особенности:

  • Быстродействующие Tranch IGBT-транзисторы (пазовое исполнение затвора)
  • Надежные, плавно-пробиваемые диоды, выполненные по технологии CAL (управляемый срок существования носителя)
  • Высоконадежные пружинные контакты для электрических подключений
  • Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

Области применения:

  • Входной мост для инверторов мощностью до 39 кВА

Примечания:

  • VCEsat , VF - значения на уровне кристалла (без учета потерь на контактах)
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-прерыватель
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 118 (88) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп 1 мс 210 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Диод прерывателя
IF прямой ток Tc = 25 (70) °C 118 (88) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп 1 мс 210 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Диод выпрямителя
VRRM повторяющееся максимальное обратное напряжение   1600 B
IF прямой ток/ток во включенном состоянии Ts = 70 83 A
IFSM прямой ток перегрузки/ ток перегрузки во включенном состоянии tp = 10 мс, sin 180 °, Tj = 25 °C 1000 A
i2t значение i2t tp = 10 мс, sin 180 °, Tj = 25 °C 6600 А2с
Tj температура перехода Диод - 40 ... + 150 °C
 
ItRMS действующее значение во включенном состоянии для одной силовой клеммы (20A/пружину) 120 A
Tstg температура хранения Top Tstg - 40 ... + 125 °C
Visol напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 2500 B


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор прерывателя
VCE(sat) напряжение насыщения коллектора-эмиттера ICnom = 105 A, Tj = 25 (125) °C   1,7 (2) 2,1 (2,4) В
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 3 мА 5 5,8 6,5 В
VCE(TO) Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) Tj = 25 (125) °C   1 (0,9) 1,2 (1,1) В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C   6,7 (10) 8,6 (12) мОм
Cies Входная емкость при закороченном выходе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   8,4   нФ
Coes выходная емкость при закороченном входе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   1,5   нФ
Cres Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   1,1   нФ
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного IGBT   0,4   K/Вт
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 105 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 5,1 Ом индуктивная нагрузка   65   нс
tr время нарастания   30   нс
td(off) длительность задержки выключения   465   нс
tf время спада   95   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения   10.1   мДж
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения   13.6   мДж
Диод прерывателя
VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 105 A; Tj = 25 (125) °C   1,6 (1,6) 1,8 (1,8) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   1 (0,8) 1,1 (0,9) В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   5,7 (7,6) 6,7 (8,6) мОм
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода   0,55   K/Вт
 
IRRM максимальный ток обратного восстановления IIFnom = 105 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 4350 A/мкс   180   A
Qrr заряд восстановления   26   мкКл
Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления   11,8   мДж
Диод выпрямителя
VF прямое напряжение IFnom = 75 A; Tj = 25 (125) °C   1,2   В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 150 °C   0,8   В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 150 °C   7   мОм
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода   0,7   K/Вт
Датчик температуры
Rts сопротивление 3 %, Tr = 25 (100) °C   1000 (1670)   Ом
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент   2   2.5 Н · м
m масса       65 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SKIIP 2:

Внешний вид модулей семейства SKIIP 2

Схема модуля:

Схема модуля SKiiP28ANB16V2

Типовая схема включения:

Типовая схема включения SKiiP28ANB16V2

Документация:

  1048 Kb Engl Описание модулей
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники