В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > IGBT-транзисторы MiniSKiiP

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



SKiiP13AC126V1

3-фазный мостовой инвертор MiniSKiiP 1

Отличительные особенности:

  • Быстродействующие Tranch IGBT-транзисторы (пазовое исполнение затвора)
  • Надежные, плавно-пробиваемые диоды, выполненные по технологии CAL (управляемый срок существования носителя)
  • Высоконадежные пружинные контакты для электрических подключений
  • Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

Области применения:

  • Инверторы мощностью до 16 кВА
  • Двигатели мощностью 7,5 кВт

Примечания:

  • VCEsat , VF - значения на уровне кристалла (без учета потерь на контактах)
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор инвертора
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 41 (31) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп 1 мс 50 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод инвертора
IF прямой ток Tc = 25 (70) °C 30 (22) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп 1 мс 50 A
Tj температура перехода - 40 ... + 150 °C
 
ItRMS действующее значение во включенном состоянии для одной силовой клеммы (20A/пружину) 40 A
Tstg температура хранения Top Tstg - 40 ... + 125 °C
Visol напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 2500 В


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор инвертора
VCE(sat) напряжение насыщения коллектора-эмиттера ICnom = 25 A, Tj = 25 (125) °C   1,7 (2) 2,1 (2,4) В
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 1 мА 5 5,8 6,5 В
VCE(TO) Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) Tj = 25 (125) °C   1 (0,9) 1,2 (1,1) В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C   28 (44) 36 (52) мОм
Cies Входная емкость при закороченном выходе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   1,8   нФ
Coes выходная емкость при закороченном входе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   0,3   нФ
Cres Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц   0,2   нФ
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного IGBT   0,9   K/Вт
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 25 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 30 Ом индуктивная нагрузка   95   нс
tr время нарастания   35   нс
td(off) длительность задержки выключения   455   нс
tf время спада   85   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения   4.1   мДж
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения   3,1   мДж
Обратный диод инвертора
VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 25 A; Tj = 25 (125) °C   1,8 (1,8) 2,1 (2,2 В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   1 (0,8) 1,1 (0,9) В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   32 (40) 40 (52) мОм
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода   1.7   K/Вт
 
IRRM максимальный ток обратного восстановления IIFnom = 25 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 1140 A/мкс   25   A
Qrr заряд восстановления   5,3   мкКл
Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления   2.2   мДж
Датчик температуры
Rts сопротивление 3 %, Tr = 25 (100) °C   1000 (1670)   Ом
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент   2   2.5 Н · м
m масса       35 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SKIIP 1:

Внешний вид модулей семейства SKIIP 1

Схема модуля:

Схема модуля SKiiP13AC126V1

Типовая схема включения:

Типовая схема включения SKiiP13AC126V1

Документация:

  847 Kb Engl Описание модулей
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники