Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Rohm

реклама

 




Мероприятия:




Энергонезависимые запоминающие устройства

В данном направлении ROHM позиционирует себя, как производитель высоконадежных электрически стираемых и программируемых постоянных запоминающих устройств (ЭСППЗУ, EEPROM). Высокая надежность ЭСППЗУ ROHM достигнута благодаря внедрению их собственной архитектуре, которая называется Double-Cell EEPROM (ЭСППЗУ на двойных ячейках). Каждая двойная ячейка выполняет параллельный обмен данными с двумя ячейками (см. рисунок 1). Если возникает повреждение одной из этих ячеек, другая продолжить работать независимо от предыдущей. Таким образом, обеспечивается корректность считываемых данных независимо от того, повреждена одна из ячеек или нет. Для сравнения: ЭСППЗУ емкостью 1 кбит, выполненная по технологии двойных ячеек, в 500 млн. раз надежнее обычных ЭСППЗУ такого же объема.


Рисунок 1 – Технология Double-Cell по сравнению с обычной организацией памяти ЭСППЗУ

Rohm выпускает ЭСППЗУ с различным объемом памяти, с поддержкой популярных последовательных интерфейсов, что иллюстрировано на рисунке 2.


Рисунок 2 – Классификация ЭСППЗУ Rohm

В состав ЭСППЗУ входят три серии общего назначения, отличающихся типом последовательного интерфейса: BR24 с 2-пров. интерфейсом (совместимый с I2C, см. табл. 1), BR93 с 3-пров. интерфейсом (табл. 2) и BR90 также с 3-пров. интерфейсом, но допускающего непосредственное подключение к шине (табл. 3), а также 3 специализированных ЭСППЗУ (см. табл. 4 и 5).

Отличительные особенности ЭСППЗУ ROHM:

  • Высокая надежность
        - износостойкость 10.000.000 циклов стирания/записи
        - энергонезависимое хранение данных в течение 40 лет
  • Широкий диапазон питающих напряжений: 1,8…5,5В (BR24L, BR93L); 2,7В…5.5В (BR24C, BR90)
  • Малое энергопотребление:
        - 1,5 мА в режиме записи (питание 5В);
        - 0,2 мА в режиме чтения (питание 5В);
        - 0,1 мкА в режиме ожидания (Standby) при питании 5В.
  • Промышленный температурный диапазон: -40°С …+85°С
  • Широкий выбор корпусных исполнений

Таблица 1 – ЭСППЗУ с 2-проводным последовательным интерфейсом (шина I2C)

Наименование Емкость Организация памяти Напряжение питания, В Скорость
интерфейса
Корпус
BR24L01A-W 1 кбит 128х8 1.8…5.5В 400kHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR24L02-W 2 кбит 256х8 1.8…5.5В 400kHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR24L04-W 4 кбит 512х8 1.8…5.5В 400kHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR24L08-W 8 кбит 1к х 8 1.8…5.5В 400kHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR24L16-W 16 кбит 2к х 8 1.8…5.5В 400kHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR24L32-W 32 кбит 4к х 8 1.8…5.5В 400kHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR24L64-W 64 кбит 8к х 8 1.8…5.5В 400kHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8

Таблица 2 – ЭСППЗУ с 3-проводным последовательным интерфейсом

Наименование Емкость Организация памяти Напряжение питания, В Скорость
интерфейса
Корпус
BR93L46-W 1 кбит 64х16 1.8…5.5В 2MHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR93L56-W 2 кбит 128х16 1.8…5.5В 2MHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR93L66-W 4 кбит 256х16 1.8…5.5В 2MHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR93L76-W 8 кбит 512х16 1.8…5.5В 2MHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR93L86-W 16 кбит 1к х 16 1.8…5.5В 2MHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8

Таблица 3 – ЭСППЗУ с 3-проводным последовательным интерфейсом (непосредственное подключение)

Наименование Емкость Организация памяти Напряжение питания, В Скорость
интерфейса
Корпус
BR9010-W 1 кбит 64х16 2.7…5.5 2MHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR9020-W 2 кбит 128х16 2.7…5.5 2MHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR9040-W 4 кбит 256х16 2.7…5.5 2MHz DIP8, SOP8, SSOP8, MSOP8
BR9080A-W 8 кбит 512х16 2.7…5.5 2MHz SOP8, SSOP8, MSOP8
BR9016A-W 16 кбит 1к х 16 2.7…5.5 2MHz SOP8, SSOP8, MSOP8

Таблица 4 – Специализированное ЭСППЗУ для модулей памяти ПК

Наименование Емкость Организация памяти Напряжение питания, В Скорость
интерфейса
Корпус
BR34L02-W 2 кбит 256х8 1.8…5.5В 400kHz SSOP8

Таблица 5 – Специализированные ЭСППЗУ для мониторов ПК

Наименование Емкость Организация памяти Напряжение питания, В Скорость
интерфейса
Корпус
BR24C21 1 кбит 128х8 2,5…5,5 400kHz DIP8, SOP8, SSOP8
BU9882 1 кбит х 2 2 банка 128х8 2,5…5,5 400kHz DIP14, SOP14, SSOP14

Документация:

  RUS Статья "EEPROM с последовательным интерфейсом компании ROHM"
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники