В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Ramtron > Последовательная FRAM

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



FM25L16

Последовательная память FRAM размером 16 кбит и питанием 3В

Отличительные особенности:

  • 16 кбит сегнетоэлектрического энергонезависимого ОЗУ
    - Организация памяти 2048 x 8 бит
    - Неограниченное количество циклов чтение-запись
    - Длительность хранения данных 45 лет
    - Технология записи NoDelay™ (без задержек)
    - Высоконадежная сегнетоэлектрическая технология
  • Быстродействующий последовательный интерфейс SPI
    - Частота до 20 МГц
    - Непосредственная аппаратная замена для ЭСППЗУ
    - Поддержка режимов SPI 0 и 3 (CPOL, CPHA=0,0 и 1,1)
  • Интеллектуальная схема защита от записи
    - Аппаратная защита
    - Программная защита
  • Малая потребляемая мощность
    - Напряжение питания 2.7…3.6В
    - Потребляемый ток в дежурном режиме 1 мкА
  • Стандартные промышленные конфигурации
    - Промышленный температурный диапазон -40°C…+85°C
    - Экологически чистые 8-выв. корпуса SOIC и DFN
    - Посадочное место DFN соответствует TSSOP-8

Структурная схема FM25L16:

Структурная схема FM25L16

Расположение выводов FM25L16:

Расположение выводов FM25L16

Общее описание:

FM25L16 - энергонезависимая память емкостью 16 кбит, выполненная по продвинутой сегнетоэлектрической технологии. Сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом (далее FRAM) является энергонезависимой памятью и выполняет чтение/запись аналогично ОЗУ. Она обеспечивает надежное хранение данных в течение 45 лет, исключая проблемы, связанные с применением ЭСППЗУ или других типов энергонезависимой памяти.

FM25L16, в отличие от последовательных ЭСППЗУ, выполняет операцию записи на скорости шины, не требуя каких-либо задержек. Следующий цикл шины может начинаться сразу после завершения предыдущего, не выполняя опроса данных. Кроме этого, микросхема обладает фактически неограниченной износостойкостью. Также FRAM характеризуется гораздо более низким энергопотреблением, чем ЭСППЗУ, поскольку не требуют во время записи генерации внутреннего напряжения для программирования.

Приведенные особенности FM25L16 делают ее применение идеальным в приложениях, где требуется частая и быстрая запись или экономичность работы. Примерами использования данной ИС могут служить системы накопления данных, где количество циклов перезаписи является критичным параметром, и системы промышленного управления, где длительность цикла записи ЭСППЗУ может стать причиной потери данных.

Для пользователей ЭСППЗУ полезной окажется возможность установки FM25L16 на тоже посадочное место ЭСППЗУ с совместимостью по расположению выводов. FM25L16 содержит высокоскоростную шину SPI, которая еще более подкрепляет особенность высокоскоростной записи технологии FRAM. Гарантируется выполнение всех технических характеристик в температурном диапазоне -40°C…+85°C.

Описание выводов:

    Наимено-
    вание
    вывода
    Описание
    /CS Выбор микросхемы
    /WP Защита от записи
    /HOLD Вход прерывания работы последовательного порта
    SCK Синхронизация последовательной связи
    SI Последовательный ввод данных
    SO Последовательный вывод данных
    VSS Общий
    VDD Напряжение питание (2.7…3.6В)

Информация для заказа:

    Код заказа Корпус
    FM25L16-G 8-выв. SOIC экологически чистый
    FM25L16-DG 8-выв. DFN экологически чистый

Документация:

  152 Kb Engl Описание микросхемы FM25L16
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Ramtron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники