Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Ramtron > Последовательная FRAM

реклама

 




Мероприятия:




FM25CL04

Энергонезависимое сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) емкостью 4 кбит с последовательным интерфейсом SPI и питанием 3В

Отличительные особенности:

  • Сегнетоэлектрическое энергонезависимое ОЗУ емкостью 4 кбит
        - Организация ячеек памяти 512 x 8
        - Неограниченное количество циклов чтения/записи
        - 10 летний срок хранения информации
        - Запись без задержки (NoDelay™ )
        - Продвинутая высоконадежная сегнетоэлектрическая технология
  • Быстродействующий последовательный периферийный интерфейс-SPI
        - Частота до 20 МГц
        - Возможность установки вместо ЭППЗУ
        - Режимы SPI 0 и 3 (CPOL, CPHA=0,0 и 1,1)
  • Схема защиты от записи
        - Аппаратная защита
        - Программная защита
  • Малая потребляемая мощность
        - Малое питающее напряжение 2.7-3.65В
        - Ток покоя 1 мкА
  • Соответствие промышленным стандартам
        - Рабочая температура: -40° C … +85° C
        - 8-выв. корпус SOIC

Структурная схема FM25CL04:

Структурная схема FM25CL04

Расположение выводов FM25CL04:

Расположение выводов FM25CL04

Общее описание:

FM25CL04 – энергонезависимая память емкостью 4 кбит, выполненная по сегнетоэлектрической технологии. Сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство или FRAM является энергонезависимым и выполняет операции чтения и записи подобно ОЗУ. Оно обеспечивает надежное хранение информации в течение 10 лет, при устранении проблем связанных со сложностью, ограниченным быстродействием записи и уровнем системной надежности ЭППЗУ и другой энергонезависимой памяти.

В отличие от ЭППЗУ FM25CL04 выполняет операцию записи на скорости шины. При этом не возникает никаких задержек при записи. Следующий цикл шины может быть начать немедленно без необходимости опроса данных. Кроме того, устройство предлагает фактически неограниченный ресурс по циклам перезаписи. Также, FRAM требует гораздо меньший ток при записи, чем ЭППЗУ.

Эти функции делают FM25CL04 идеальным для приложений с энергонезависимым хранением информации, где требуется частая и быстрая запись данных или пониженное напряжение питания и малый потребляемый ток. Примеры таких приложений простираются от накопителей данных, где время записи может быть критичным параметром, до промышленного управления, где задержки при записи в ЭППЗУ могут привести к потере информации.

Для пользователей ЭППЗУ, которые хотят перейти на данную технологию, FM25CL04 предлагает возможность непосредственной аппаратной замены ЭППЗУ. FM25CL04 использует быстродействующую шину SPI, которая позволяет поднять скорость записи данных в FRAM. Выполнение технических характеристик гарантируется для всего промышленного температурного диапазона: -40°C… +85°C.

Описание выводов:

    Наимено-
    вание
    вывода
    Описание
    /CS Выбор микросхемы
    /WP Защита от записи
    /HOLD Вход прерывания работы последовательного порта
    SCK Вход тактирования последовательной связи
    SI Последовательный ввод данных
    SO Последовательный вывод данных
    VDD Напряжение питание
    VSS Общий

Информация для заказа:

    Код заказа Корпус
    FM25CL04-S 8-выв. SOIC

Документация:

  99 Kb Engl Описание микросхемы FM25CL04
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Ramtron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники