В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Ramtron > Последовательная FRAM

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



FM25C160

Энергонезависимое сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) емкостью 16 кбит с последовательным интерфейсом SPI

Отличительные особенности:

  • Сегнетоэлектрическое энергонезависимое ОЗУ емкостью 64 кбит
        - Организация ячеек памяти 2048 x 8
        - Высокая износостойкость: 1 триллион (1012) циклов чтение/запись
        - 10 летний срок хранения информации
        - Запись без задержки (NoDelay™ )
        - Продвинутая высоконадежная сегнетоэлектрическая технология
  • Быстродействующий двухпроводной последовательный интерфейс
        - Максимальная тактовая частота последовательной шины до 5 МГц
        - Непосредственная аппаратная замена ЭППЗУ
        - Режимы SPI 0 и 3 (CPOL, CPHA=0,0 и 1,1)
  • Схема защиты от записи
        - Аппаратная защита
        - Программная защита
  • Малая потребляемая мощность
        - Ток покоя 10 мкА
  • Соответствие промышленным стандартам
        - Рабочая температура: -40° C … +85° C
        - 8-выв. корпус SOIC

Структурная схема FM25C160:

Структурная схема FM25C160

Расположение выводов FM25C160:

Расположение выводов FM25C160

Общее описание:

FM25С160 – энергонезависимая память емкостью 16 кбит, выполненная по сегнетоэлектрической технологии. Сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство или FRAM является энергонезависимым и выполняет операции чтения и записи подобно ОЗУ. Оно обеспечивает надежное хранение информации в течение 10 лет, при устранении проблем связанных со сложностью, ограниченным быстродействием записи и уровнем системной надежности ЭППЗУ и другой энергонезависимой памяти.

В отличие от ЭППЗУ FM25С160 выполняет операцию записи на скорости шины. При этом не возникает никаких задержек при записи. Данные записываются в массив памяти за сотни наносекунд после успешной передачи в устройство. Следующий цикл шины может быть начать немедленно. Кроме того, устройство предлагает гораздо больший ресурс по циклам перезаписи по сравнению с другими видами энергонезависимой памятью. FM25640 выдерживает 1012 циклов чтения/записи, что намного больше фактических требований, предъявляемых системой к последовательной памяти.

Эти возможности делают FM25М160 идеальным для приложений с энергонезависимым хранением информации, где требуется частая и быстрая запись данных. Примеры таких приложений простираются от накопителей данных, где время записи может быть критичным параметром, до промышленного управления, где задержки при записи в ЭППЗУ могут привести к потере информации.

Для пользователей ЭППЗУ, которые хотят перейти на данную технологию, FM25С160 предлагает возможность непосредственной аппаратной замены ЭППЗУ. FM25С160 использует быстродействующую шину SPI, которая позволяет поднять скорость записи данных во FRAM. Выполнение технических характеристик гарантируется для всего промышленного температурного диапазона: -40°C… +85°C.

Описание выводов:

    Наимено-
    вание
    вывода
    Описание
    /CS Выбор микросхемы
    /WP Защита от записи
    /HOLD Вход прерывания работы последовательного порта
    SCK Вход тактирования последовательной связи
    SI Последовательный ввод данных
    SO Последовательный вывод данных
    VDD Напряжение питание 5В
    VSS Общий

Информация для заказа:

    Код заказа Корпус
    FM25C160-S 8-выв. SOIC

Документация:

  152 Kb Engl Описание микросхемы FM25C160
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Ramtron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники