В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Ramtron > Последовательная FRAM

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



FM25040

Энергонезависимое сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) емкостью 4 кбит с последовательным интерфейсом SPI

Отличительные особенности:

  • Сегнетоэлектрическое энергонезависимое ОЗУ емкостью 4 кбит
        - Организация ячеек памяти 512 x 8
        - Высокая износостойкость: 10 млрд. (1010) циклов чтения/записи
        - 10 летний срок хранения информации при 85°C
        - Запись без задержки (NoDelay™ )
        - Продвинутая высоконадежная сегнетоэлектрическая технология
  • Быстродействующий последовательный периферийный интерфейс-SPI
        - Частота до 2.1 МГц
        - Возможность установки вместо ЭППЗУ
        - Режим 0 шины SPI (CPOL=0, CPHA=1)
  • Схема защиты от записи
        - Аппаратная защита
        - Программная защита
  • Малая потребляемая мощность
        - Ток покоя 10 мкА
  • Соответствие промышленным стандартам
        - Рабочая температура: -40° C … +85° C
        - 8-выв. корпуса SOIC и DIP

Структурная схема FM25040:

Структурная схема FM25040

Расположение выводов FM25040:

Расположение выводов FM25040

Общее описание:

FM25040 – энергонезависимая память емкостью 4 кбит, выполненная по сегнетоэлектрической технологии. Сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство или FRAM является энергонезависимым и выполняет операции чтения и записи подобно ОЗУ. Оно обеспечивает надежное хранение информации в течение 10 лет, при устранении проблем связанных со сложностью, ограниченным быстродействием записи и уровнем системной надежности ЭППЗУ и другой энергонезависимой памяти.

В отличие от ЭППЗУ FM25040 выполняет операцию записи на скорости шины. При этом не возникает никаких задержек при записи. Данные записываются в массив памяти за сотни наносекунд после успешной передачи в устройство. Следующий цикл шины может быть начать немедленно. Кроме того, устройство предлагает гораздо больший ресурс по циклам перезаписи по сравнению с другими видами энергонезависимой памятью. FM25040 выдерживает 1010 циклов чтения/записи, что намного больше фактических требований, предъявляемых системой к последовательной памяти.

Эти функции делают FM25040 идеальным для приложений с энергонезависимым хранением информации, где требуется частая и быстрая запись данных. Примеры таких приложений простираются от накопителей данных, где время записи может быть критичным параметром, до промышленного управления, где задержки при записи в ЭППЗУ могут привести к потере информации.

Для пользователей ЭППЗУ, которые хотят перейти на данную технологию, FM25040 предлагает возможность непосредственной аппаратной замены ЭППЗУ. FM25040 использует быстродействующую шину SPI, которая позволяет поднять скорость записи данных в FRAM. Выполнение технических характеристик гарантируется для всего промышленного температурного диапазона: -40°C… +85°C.

Описание выводов:

    Наимено-
    вание
    вывода
    Описание
    /CS Выбор микросхемы
    SO Последовательный вывод данных
    /WP Защита от записи
    VSS Общий
    SI Последовательный ввод данных
    SCK Вход тактирования последовательной связи
    /HOLD Вход прерывания работы последовательного порта
    VСС Напряжение питание 5В

Информация для заказа:

    Код заказа Корпус
    FM25040-P 8-выв. пластиковый DIP
    FM25040-S 8-выв. SOP

Документация:

  632 Kb Engl Описание микросхемы FM25040
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Ramtron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники