В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Ramtron > Последовательная FRAM

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



FM24C256

Энергонезависимое сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) емкостью 256 кбит с последовательным интерфейсом

Отличительные особенности:

  • Сегнетоэлектрическое энергонезависимое ОЗУ емкостью 256 кбит
        - Организация ячеек памяти 32768 x 8
        - Высокая износостойкость: 10 млрд. (1010) циклов чтение/запись
        - 10 летний срок хранения информации
        - Запись без задержки (NoDelay™ )
        - Продвинутая высоконадежная сегнетоэлектрическая технология
  • Малая потребляемая мощность
        - Работа при питании 5В
        - Активный ток - 200 мкА (100 кГц)
        - Ток покоя - 100 мкА
  • Соответствие промышленным стандартам
        - Рабочая температура: -40° C … +85° C
        - Корпус: 8-выв. EIAJ SOP

Структурная схема FM24C256:

Структурная схема FM24C256

Расположение выводов FM24C256:

Расположение выводов FM24C256

Общее описание:

FM24C256 – энергонезависимая память емкостью 256 кбит, выполненная по сегнетоэлектрической технологии. Сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство или FRAM является энергонезависимым и выполняет операции чтения и записи подобно ОЗУ. Оно обеспечивает надежное хранение информации в течение 10 лет, при устранении проблем связанных со сложностью, ограниченным быстродействием записи и уровнем системной надежности ЭППЗУ и другой энергонезависимой памяти.

FM24C256 выполняет операцию записи на скорости шины. При этом не возникает никаких задержек при записи. Следующий цикл шины может быть начать немедленно без необходимости опроса данных. Кроме того, износостойкость данной памяти на несколько порядков выше ЭППЗУ. Также, FRAM требует гораздо меньший ток при записи чем ЭППЗУ, т.к. исключена необходимость применения внутреннего источника повышенного напряжения для программирования.

Эти функции делают FM24C256 идеальным для приложений с энергонезависимым хранением информации, где требуется частая и быстрая запись данных. Примеры таких приложений простираются от накопителей данных, где время записи может быть критичным параметром, до промышленного управления, где задержки при записи в ЭППЗУ могут привести к потери информации. В совокупности данные преимущества позволяют записывать данные с большей частотой, не вызывая при этом неудобства в программировании.

FM24C256 выпускается в 8-выв. корпусе EIAJ SOP с использованием стандартного промышленного 2-проводного протокола связи. Выполнение технических характеристик гарантируется для всего промышленного температурного диапазона: -40°C… +85°C.

Описание выводов:

    Наимено-
    вание
    вывода
    Описание
    A0-A2 Входы задания адреса устройства на последовательной шине
    SDA Ввод/вывод последовательных данных/адреса
    SCL Вход тактирования последовательной связи
    WP Вход защиты от записи
    VSS Общий
    VDD Напряжение питания +5В

Информация для заказа:

    Код заказа Корпус
    FM24C256-SE 8-выв. EIAJ SOP

Документация:

  90 Kb Engl Описание микросхемы FM24C256
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Ramtron,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники