|
Поиск по сайту: |
|
По базе: |
![]() |
| Главная страница > Компоненты > Philips Semiconductors | |||||||||
|
|
|||||||||||
NE57810ИС обеспечения подстройки мощности DDR шины памяти синхронного динамического DDR RAMОтличительные особенности:
Применение:
Типовая схема включения:
Расположение выводов:
Общее описание: NE57810 разработан для обеспечения подстройки мощности DDR шины памяти синхронного динамического ЗУПВ. При его использовании существенно снижается число используемых компонентов, размер платы, и общая стоимость системы в сравнении с ранее существовавшими системами. NE57810 DDR регулятор подстройки поддерживает выходное напряжение (напряжение базисного узла DDR), составляющее половину напряжения питания ОЗУ. Он способен обеспечивать силу тока до ±3.5 А в течение длительного периода. Ограничение перегрузки по току предохраняет NE57810 от скачков электрического тока при запуске, а система тепловой защиты предохраняет устройство при использовании в экстремальных температурных режимах. Для возможности эксплуатации устройства в различных температурных режимах был использован термостойкий SPAK-5 (SOT756) корпус. Поскольку NE57810 - регулятор линейной ИС, он не требует установки дополнительных внешних дросселей или коммутирующих полевых транзисторов. Благодаря способности быстро реагировать на изменения нагрузки установка нагрузочных конденсаторов не требуется. Документация:
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|||||||||||