Поиск по сайту: |
|
По базе: |
|
Главная страница > Компоненты > Philips Semiconductors |
|
||||||||||||||||||||||||||
PMN45ENN-канальный TrenchMOS полевой транзистор низкого уровняОтличительные особенности:
Применение:
Расположение выводов:
Общее описание: N-канальный полевой транзистор, работающий в режиме обогащения, выполненный по TrenchMOS ™ технологии, в пластиковом корпусе. Модификации: PMN45EN в SOT457-корпусах (TSOP6). Документация:
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru ©1998-2023 Рынок Микроэлектроники |
|