PMN40LN

N-канальный TrenchMOS полевой транзистор низкого уровня

Отличительные особенности:

• TrenchMOS ™ технология
• Совместимость логических уровней
• Корпус для поверхностного монтажа.

Применение:

• Регулировка напряжения питания аккумулятора
• Быстродействующий выключатель
• Маломощный преобразователь постоянного тока в постоянный

Расположение выводов:

Вывод	Описание	Корпус	Обозначение
1, 2, 5, 6	drain (d)
3	gate (g)
4	source (s)

Общее описание:

N-канальный полевой транзистор, работающий в режиме обогащения, выполненный по TrenchMOS ™ технологии, в пластиковом корпусе.

Модификации: PMN40LN в SOT457-корпусах (TSOP6).

Документация:

261 Kb Engl Описание транзистора

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи