|
Поиск по сайту: |
|
По базе: |
![]() |
| Главная страница > Компоненты > Philips Semiconductors | |||||||||
|
|
|||||||||||
BLF0810-90; BLF0810S-90N-канальные кремневые ДМОП-транзисторы с горизонтальной структуройОтличительные особенности:
Применение: Применяется в CDMA и системах в режиме работы с несколькими несущими с общим источником класса АВ в частотном диапазоне 860 - 960 МГц Корпус:
Общее описание: N-канальные кремневые ДМОП-транзисторы с горизонтальной структурой, работающие в режиме обогащения в 2-фланцевом корпусе (BLF0810-90) с керамической крышкой или в 2-фланцевом корпусе без держателя (BLF0810S-90). Общий исток соединен с фланцем. Имеет типовые CDMA IS95 рабочие характеристики при стандартных установочных параметрах напряжения питания 27 В и I DQ = 500 мА, ширине полосы пропускания канала - 30 кГц, соседних каналов ±750 кГц и ±1.98 МГц:
Документация:
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|||||||||||