В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Philips Semiconductors

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



BLF0810-180, BLF0810S-180

LDMOS - транзистор мощностью 180 Вт, используемый в базовых станциях с частотой от 800 МГц до 1000 МГц

Отличительные особенности:

  • Простая схема регулировки мощности
  • Отличные характеристики выносливости
  • Высокий коэффициент усиления мощности
  • Отличные характеристики температурной стабильности
  • Разработан для использования в широкополосном режиме (от 800 МГц до 1 ГГц)
  • Компактный и простой в использовании

Применение:

  • рименяется в CDMA и системах в режиме работы с несколькими несущими с общим источником класса АВ в частотном диапазоне 860 - 960 МГц

Корпус:

Общее описание:

LDMOS - транзистор мощностью 180 Вт, используемый в базовых станциях с частотой от 800 МГц до 1000 МГц. Имеет типичные CDMA IS95 рабочие характеристики при стандартных установочных параметрах напряжения питания 28 В и I DQ = 1125 мА, ширине полосы пропускания канала - 30 кГц, соседних каналов ±750 кГц и ±1.98 МГц:

  • Выходная мощность = 35 Вт
  • Коэффициент усиления = 15.6 дБ
  • Выход = 26 pct
  • ACPR <-45 dBc при 750 кГц и ширине полосы пропускания канала = 30 кГц
  • ACPR <-63 dBc при 1.98 МГц и ширине полосы пропускания канала = 30 кГц

Документация:

  138 Kb Engl Описание транзистора
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы NXP Semiconductors,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники