BLF0810-180, BLF0810S-180

LDMOS - транзистор мощностью 180 Вт, используемый в базовых станциях с частотой от 800 МГц до 1000 МГц

Отличительные особенности:

• Простая схема регулировки мощности
• Отличные характеристики выносливости
• Высокий коэффициент усиления мощности
• Отличные характеристики температурной стабильности
• Разработан для использования в широкополосном режиме (от 800 МГц до 1 ГГц)
• Компактный и простой в использовании

Применение:

• рименяется в CDMA и системах в режиме работы с несколькими несущими с общим источником класса АВ в частотном диапазоне 860 - 960 МГц

Корпус:

Общее описание:

LDMOS - транзистор мощностью 180 Вт, используемый в базовых станциях с частотой от 800 МГц до 1000 МГц. Имеет типичные CDMA IS95 рабочие характеристики при стандартных установочных параметрах напряжения питания 28 В и I DQ = 1125 мА, ширине полосы пропускания канала - 30 кГц, соседних каналов ±750 кГц и ±1.98 МГц:

• Выходная мощность = 35 Вт
• Коэффициент усиления = 15.6 дБ
• Выход = 26 pct
• ACPR <-45 dBc при 750 кГц и ширине полосы пропускания канала = 30 кГц
• ACPR <-63 dBc при 1.98 МГц и ширине полосы пропускания канала = 30 кГц

Документация:

138 Kb Engl Описание транзистора

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи