В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Maxim > Датчики

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



MAX1978, MAX1979

Интегрированные контроллеры температуры для модулей Пелтье

Отличительные особенности:

  • Самые малогабаритные, отказоустойчивые, точные, законченные однокорпусные контроллеры
  • Встроенные силовые MOSFET - не требуется использование внешних транзисторов
  • Площадь корпуса менее 0.93 дюйма2
  • Высота корпуса ИС < 3 мм
  • Стабильность поддержания температуры, вплоть до 0.001°С
  • Встроенный прецизионный интегратор и стабилизированный усилитель ОУ с прерывателем
  • Прецизионные, независимые пределы ограничения токов нагрева и охлаждения
  • Исключает броски тока путем прямого управления токами термоэлектрических элементов (TEC)
  • Регулируемый дифференциальный предел напряжения TEC
  • Конструкция с низким уровнем шумов и пульсаций
  • Мониторинг тока модуля TEC
  • Мониторинг температуры
  • Сигнал порогового превышения и снижения температуры
  • Биполярный выходной ток 3 А (MAX1978)
  • Униполярный выходной ток до +6 А (MAX1979)

Области применения:

  • Оптоволоконные лазерные модули
  • Контроль температурного режима в модулях лазерных диодов WDM, DWDM (мультиплексирование с разделением по спектральной плотности)
  • Оптические усилители с легированием эрбием (EDFA)
  • Оптоволоконные телекоммуникационные интерфейсы
  • Автоматические контрольно - измерительные комплексы

Типовая схема включения:

Расположение выводов:

Описание:

ИС MAX1978/ MAX1979 являются самыми малогабаритными, отказоустойчивыми, точными одночиповыми контроллерами температуры для термоэлектрических модулей (TEC) охлаждения Пелтье. Встроенные силовые полевые транзисторы и цепи управления температурным режимом минимизируют число внешних компонентов, одновременно, обеспечивая высокую эффективность. Выбираемая частота преобразования (500 кГц/ 1 МГц) и уникальная схема подавления пульсаций позволяет оптимизировать размеры компонентов и эффективность преобразования, одновременно, снижая уровень шумов и излучение EMI. Стабилизированный усилитель - прерыватель с ультра- низким дрейфом обеспечивает стабильность температуры на уровне 0.001%. Для снижения пульсаций тока ИС обеспечивает непосредственное управление выходным током, а не напряжением. Индивидуальное ограничение токов нагрева и охлаждения, а также ограничение напряжения обеспечивает высокий уровень защиты модуля TEC.

ИС MAX1978 имеет однополярное напряжение питания и обеспечивает нагрузочную способность 3 А путем включения модуля TEC между двумя синхронными понижающими преобразователями напряжения. Реальный биполярный алгоритм работы обеспечивает управление температурным режимом без «мертвых зон» , или других нелинейных проявлений при малых токах нагрузки. Система управления не проявляет эффекта «рыскания» при приближении к пороговой точке, когда требуется небольшой нагрев, или охлаждение системы. Аналоговая схема управления прецизионно устанавливает величину тока модуля TEC. ИС MAX1979 обеспечивает однополярный выходной ток, вплоть до 6 А.

Стабилизированный измерительный усилитель с прерывателем и высокопрецизионный интегрирующий усилитель предназначены для реализации пропорционально - интегрального (PI), или пропорционально - интегрально - производного контроллера. Измерительный усилитель может состыковываться с внешними ТЕС, или PTC термисторами, термопарами, или с полупроводниковыми датчиками температуры. Аналоговые выходные сигналы предназначены для мониторинга температуры и тока ТЕС модуля. Кроме того, выделенные выходы сигналов превышения/ понижения пороговой температуры показывают когда температура модуля TEC находится вне разрешенного диапазона. Встроенный источник опорного напряжения (ИОН) обеспечивает напряжение смещения для терморезисторного моста.

ИС MAX1978/ MAX1979 выпускаются в низкопрофильных корпусах типа 48-lead thin QFN-EP и предназначены для эксплуатации в расширенном диапазоне температур (от -40°С до +85°С). Термо - оптимизированный корпус QFN -EP с встроенным тепловым интерфейсом минимизирует рабочую температуру кристалла. Для ускорения стадии разработки выпускаются наборы для макетирования.

Документация:

  620 Kb Engl Описание микросхемы





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники