Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Maxim > NVRAM > Однокристальные NV SRAM

реклама

 




Мероприятия:




DS3065W

Однокристальная 3.3 В 8 МБ энергонезависимая SRAM память со встроенными RTC

Отличительные особенности:

  • Однокристальный переустанавливаемые 27x27 мм BGA корпус
  • Встроенный литий-марганцевый аккумулятор и зарядное устройство
  • Встроенные часы реального времени
  • Безусловная защита RTC и SRAM при выходе VCC за допустимые пределы
  • Автоматическое переключение на работу от встроенной батареи питания при отключении основного напряжения питания VCC
  • Выход RESET может использоваться в качестве супервизора напряжения питания для центрального процессора
  • Выход INTERRUPT может использоваться в качестве сторожевого таймера ЦП
  • Индустриальный рабочий температурный диапазон (от -40°C до +85°C)
  • Признан UL

Области применения:

  • Системы сбора и накопления данных
  • Пожарные сигнализации
  • Электронные игры
  • Промышленные контроллеры
  • PLC
  • POS терминалы
  • RAID системы и серверы
  • Маршрутизаторы/коммутаторы

Типовая схема включения:

Типовая схема включения DS3065W

Расположение выводов:

Расположение выводов DS3065W

Общее описание:

DS3065W состоит из статического ОЗУ, контроллера энергонезависимости, Y2K- совместимых часов реального времени (RTC) и встроенного перезаряжающегося литий-марганцевого аккумулятора. Эти компоненты упакованы в 256 контактный BGA корпус для поверхностного монтажа. После подачи напряжения питания VCC, модуль осуществляет подзарядку аккумулятора, запитывает RTC и SRAM от внешнего источника питания и разрешает изменение содержимого регистров RTC и SRAM. При выходе VCC за допустимые пределы, контроллер энергонезависимости устанавливает защиту от записи для RTC и SRAM и запитывает их от встроенного аккумулятора. Также DS3065W имеет выход монитора напряжения питания (RST) и программируемый пользователем выход прерывания (IRQ/FT).

Документация:

  556 Kb Engl Описание микросхемы





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники