В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Микросхемы > Maxim > ШИМ-регуляторы

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



MAX756, MAX757

Высокоэффективный повышающий преобразователь с выходным напряжением 3.3/5 В

Для новых разработок рекомендуется применять ИС семейства MAX1674/MAX1675/MAX1676 с улучшенными характеристиками

Отличительные особенности:

  • Входное напряжение от 0.7 В до 5.5 В
  • Максимальный ток Icc 0/06 мА
  • Типовой выходной ток IOUT 0.3 А
  • Работоспособен с входным напряжением питания вплоть до 0.7В
  • КПД преобразования 87% при 200мА
  • Ток покоя 60мкА
  • Ток потребления 20 мкА в режиме Shutdown с активным Reference и LBI детектором
  • Максимальная частота преобразования 500 кГц
  • Допустимое отклонение VREF в диапазоне рабочих температур 1.5%
  • Детектор разряда батареи (LBI/LBO)
  • Корпуса 8- выводов DIP и SO

Области применения:

  • Повышающие ступенчатые преобразователи 3.3В до 5В
  • Palmtop компьютеры
  • Портативные устройства сбора данных
  • Персональные устройства связи и передачи данных/компьютеры
  • Медицинское оборудование
  • Измерители уровня глюкозы

Расположение выводов:

Типовая схема включения:

Описание:

ИС MAX756/757 являются ступенчатыми повышающими CMOS DC-DC стабилизаторами с питанием от источника с низким напряжением или с питанием от батареи. MAX756 может работать с входным напряжением от 0.7 В и преобразовывать его в, выбираемое по состоянию вывода, напряжение с уровнем 3.3 В или 5 В. MAX757 при входном уровне напряжения от 0.7 В имеет регулируемое выходное напряжение в диапазоне от 2.7 В до 5.5 В. Типовой КПД преобразования при полной загрузке для ИС MAX756/757 превышает 87%.

ИС MAX756/757 обладают тремя преимуществами по сравнению с выпущенными ранее аналогами. Существенно сократился размер – высокая частота преобразования (до 0.5 МГц) позволила с помощью силовых MOSFET транзисторов сократить размер индуктивности поверхностного монтажа до миниатюрного (< 5 мм в диаметре). Эффективность преобразования повысилась до 87% (на 10% лучше, чем в низковольтных преобразователях биполярной технологии). И потребление тока сократилось до 60 мкА с применением CMOS технологии и уникальной импульсно – частотной модуляции (PFM) с постоянной длительностью холостого хода. Выпускается с диапазонами рабочих температур от -40°С до +85°С и от 0°С до +70°С. ИС доступны в корпусах 8/PDIP.300 и 8/SO.150.

Документация:

  112 Kb Engl Описание микросхемы





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники