P-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение - 20 : -60 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Полярность |
BVDSS |
Rds(on) |
ID @ 25°C |
ID @ 100°C |
Мощность рассеяния |
 IRF5M4905 |
TO-254AA |
DISCRETE |
P |
-55 |
0.03 |
-35 |
-35 |
125 |
| IRF5N4905 |
SMD-1 |
DISCRETE |
P |
-55 |
0.024 |
-55 |
-36 |
125 |
| IRF5NJ5305 |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
P |
-55 |
0.065 |
-22 |
-16 |
75 |
| IRF5Y5305CM |
TO-257AA |
DISCRETE |
P |
-55 |
0.065 |
-18 |
-15 |
75 |
| IRFE9024 |
18-pin LCC |
DISCRETE |
P |
-60 |
0.28 |
-5.4 |
-3.4 |
14 |
| IRFF9024 |
TO-205AF |
DISCRETE |
P |
-60 |
0.28 |
-6.4 |
-4.1 |
20 |
| IRL5NJ7404 |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
P |
-20 |
0.04 |
-11 |
-7.0 |
50 |
- BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
- N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- Total Dose - кумулятивная доза облучения
|
