P-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение -100 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Мощность рассеяния
2N6804	TO-204AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	75
2N6845	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.6	-4	-2.6	20
2N6849	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	25
IRF5M5210	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.07	-34	-21	125
IRF5N5210	SMD-2	DISCRETE	P	-100	0.060	-31	-19	125
IRF5NJ9540	SMD-0.5	DISCRETE	P	-100	0.117	-18	-11	75
IRF5Y9540CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.117	-18	-11	75
IRF9130	TO-204AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	75
IRF9140	TO-204AA	DISCRETE	P	-100	0.2	-18	-11	125
IRFE9110	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	1.2	-2.5	-1.6	15
IRFE9120	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	0.6	-3.5	-2.2	14
IRFE9130	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	25
IRFF9110	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	1.2	-2.5	-1.6	15
IRFF9120	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.6	-4	-2.6	20
IRFF9130	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	25
IRFM9140	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.2	-18	-11	125
IRFN9140	SMD-1	DISCRETE	P	-100	0.2	-18	-11	125
IRFY9130CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11.2	-7.1	75
IRFY9140	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.20	-15.8	-10	100
IRFY9140C	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.20	-15.8	-10	100
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Мощность рассеяния
IRFY9140CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.2	-15.8	-10	100
IRFY9140M	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.20	-15.8	-10	100
JANS2N6849	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	25
JANS2N6849U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	25
JANS2N7236	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.2	-18	-11	125
JANS2N7236U	SMD-1	DISCRETE	P	-100	0.2	-18	-11	125
JANTX2N6804	TO-204AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	75
JANTX2N6845	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.6	-4	-2.6	20
JANTX2N6845U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	0.6	-3.5	-2.2	14
JANTX2N6849	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	25
JANTX2N6849U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	25
JANTX2N7236	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.2	-18	-11	125
JANTX2N7236U	SMD-1	DISCRETE	P	-100	0.2	-18	-11	125
JANTXV2N6804	TO-204AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	75
JANTXV2N6845	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.6	-4	-2.6	20
JANTXV2N6845U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	0.6	-3.5	-2.2	14
JANTXV2N6849	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	25
JANTXV2N6849U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	25
JANTXV2N7236	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.2	-18	-11	125
JANTXV2N7236U	SMD-1	DISCRETE	P	-100	0.2	-18	-11	125

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи