В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



P-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение -100 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
2N6804 TO-204AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 75
2N6845 TO-205AF DISCRETE P -100 0.6 -4 -2.6 20
2N6849 TO-205AF DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 25
IRF5M5210 TO-254AA DISCRETE P -100 0.07 -34 -21 125
IRF5N5210 SMD-2 DISCRETE P -100 0.060 -31 -19 125
IRF5NJ9540 SMD-0.5 DISCRETE P -100 0.117 -18 -11 75
IRF5Y9540CM TO-257AA DISCRETE P -100 0.117 -18 -11 75
IRF9130 TO-204AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 75
IRF9140 TO-204AA DISCRETE P -100 0.2 -18 -11 125
IRFE9110 18-pin LCC DISCRETE P -100 1.2 -2.5 -1.6 15
IRFE9120 18-pin LCC DISCRETE P -100 0.6 -3.5 -2.2 14
IRFE9130 18-pin LCC DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 25
IRFF9110 TO-205AF DISCRETE P -100 1.2 -2.5 -1.6 15
IRFF9120 TO-205AF DISCRETE P -100 0.6 -4 -2.6 20
IRFF9130 TO-205AF DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 25
IRFM9140 TO-254AA DISCRETE P -100 0.2 -18 -11 125
IRFN9140 SMD-1 DISCRETE P -100 0.2 -18 -11 125
IRFY9130CM TO-257AA DISCRETE P -100 0.3 -11.2 -7.1 75
IRFY9140 TO-257AA DISCRETE P -100 0.20 -15.8 -10 100
IRFY9140C TO-257AA DISCRETE P -100 0.20 -15.8 -10 100
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
IRFY9140CM TO-257AA DISCRETE P -100 0.2 -15.8 -10 100
IRFY9140M TO-257AA DISCRETE P -100 0.20 -15.8 -10 100
JANS2N6849 TO-205AF DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 25
JANS2N6849U 18-pin LCC DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 25
JANS2N7236 TO-254AA DISCRETE P -100 0.2 -18 -11 125
JANS2N7236U SMD-1 DISCRETE P -100 0.2 -18 -11 125
JANTX2N6804 TO-204AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 75
JANTX2N6845 TO-205AF DISCRETE P -100 0.6 -4 -2.6 20
JANTX2N6845U 18-pin LCC DISCRETE P -100 0.6 -3.5 -2.2 14
JANTX2N6849 TO-205AF DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 25
JANTX2N6849U 18-pin LCC DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 25
JANTX2N7236 TO-254AA DISCRETE P -100 0.2 -18 -11 125
JANTX2N7236U SMD-1 DISCRETE P -100 0.2 -18 -11 125
JANTXV2N6804 TO-204AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 75
JANTXV2N6845 TO-205AF DISCRETE P -100 0.6 -4 -2.6 20
JANTXV2N6845U 18-pin LCC DISCRETE P -100 0.6 -3.5 -2.2 14
JANTXV2N6849 TO-205AF DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 25
JANTXV2N6849U 18-pin LCC DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 25
JANTXV2N7236 TO-254AA DISCRETE P -100 0.2 -18 -11 125
JANTXV2N7236U SMD-1 DISCRETE P -100 0.2 -18 -11 125
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники