В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 60-75 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
IRF034 TO-204AE DISCRETE N 60 0.05 25 16 75
IRF044 TO-204AE DISCRETE N 60 0.028 44 27 125
IRF054 TO-204AE DISCRETE N 60 0.022 45 31 150
IRF7MS2907 TO-254AA DISCRETE N 75 0.0055 45 45 208
IRF7NA2907 SMD-2 DISCRETE N 75 0.0045 75 75 313
IRF7NJZ44V SMD-0.5 DISCRETE N 60 0.0165 22 22 50
IRF7YSZ44VCM TO-257AA DISCRETE N 60 0.0195 20 20 50
IRFE024 18-pin LCC DISCRETE N 60 0.15 6.7 4.2 14
IRFF024 TO-205AF DISCRETE N 60 0.15 8 5.7 20
IRFI064 TO-259AA DISCRETE N 60 0.017 45 45 300
IRFM044 TO-254AA DISCRETE N 60 0.04 35 28 125
IRFM054 TO-254AA DISCRETE N 60 0.027 35 35 150
IRFM064 TO-254AA DISCRETE N 60 0.017 35 35 250
IRFN044 SMD-1 DISCRETE N 60 0.04 44 27 125
IRFN054 SMD-1 DISCRETE N 60 0.02 55 40 150
IRFV064 TO-258AA DISCRETE N 60 0.017 45 45 300
IRFY044CM TO-257AA DISCRETE N 60 0.04 16 16 100
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники