В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 600-1000 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
IRFAC30 TO-204AA DISCRETE N 600 2.2 3.6 2.3 75
IRFAC40 TO-204AA DISCRETE N 600 1.2 6.2 3.9 125
IRFAE30 TO-204AA DISCRETE N 800 3.2 3.1 2 75
IRFAE40 TO-204AA DISCRETE N 800 2 4.8 3 125
IRFAE50 TO-204AA DISCRETE N 800 1.2 7.1 4.5 150
IRFAF30 TO-204AA DISCRETE N 900 4 2 1.7 75
IRFAF40 TO-204AA DISCRETE N 900 2.5 4.3 2.7 125
IRFAF50 TO-204AA DISCRETE N 900 1.6 6.2 4 150
IRFAG30 TO-204AA DISCRETE N 1000 5.6 2.3 1.5 75
IRFAG40 TO-204AA DISCRETE N 1000 3.5 3.9 2.5 125
IRFAG50 TO-204AA DISCRETE N 1000 2 5.6 3.5 150
IRFMG40 TO-254AA DISCRETE N 1000 3.5 3.9 2.5 125
IRFMG50 TO-254AA DISCRETE N 1000 2 5.6 3.5 150
IRFNG40 SMD-1 DISCRETE N 1000 3.5 3.9 2.5 125
IRFNG50 SMD-1 DISCRETE N 1000 2 5.5 3.5 150
OM11N60SA TO-254AA DISCRETE N 600 0.5 11 7.2 200
OM6027SC TO-258AA DISCRETE N 1000 1.3 10   165
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники