N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 600-1000 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Полярность |
BVDSS |
Rds(on) |
ID @ 25°C |
ID @ 100°C |
Мощность рассеяния |
 IRFAC30 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
600 |
2.2 |
3.6 |
2.3 |
75 |
| IRFAC40 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
600 |
1.2 |
6.2 |
3.9 |
125 |
| IRFAE30 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
800 |
3.2 |
3.1 |
2 |
75 |
| IRFAE40 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
800 |
2 |
4.8 |
3 |
125 |
| IRFAE50 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
800 |
1.2 |
7.1 |
4.5 |
150 |
| IRFAF30 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
900 |
4 |
2 |
1.7 |
75 |
| IRFAF40 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
900 |
2.5 |
4.3 |
2.7 |
125 |
| IRFAF50 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
900 |
1.6 |
6.2 |
4 |
150 |
| IRFAG30 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
1000 |
5.6 |
2.3 |
1.5 |
75 |
| IRFAG40 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
1000 |
3.5 |
3.9 |
2.5 |
125 |
| IRFAG50 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
1000 |
2 |
5.6 |
3.5 |
150 |
| IRFMG40 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
1000 |
3.5 |
3.9 |
2.5 |
125 |
| IRFMG50 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
1000 |
2 |
5.6 |
3.5 |
150 |
| IRFNG40 |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
1000 |
3.5 |
3.9 |
2.5 |
125 |
| IRFNG50 |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
1000 |
2 |
5.5 |
3.5 |
150 |
| OM11N60SA |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
600 |
0.5 |
11 |
7.2 |
200 |
| OM6027SC |
TO-258AA |
DISCRETE |
N |
1000 |
1.3 |
10 |
|
165 |
- BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
- N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- Total Dose - кумулятивная доза облучения
|
