Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 




Мероприятия:




N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 500 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
2N6762 TO-204AA DISCRETE N 500 1.5 4.5 3 75
2N6770 TO-204AA DISCRETE N 500 0.4 12 7.75 150
2N6794 TO-205AF DISCRETE N 500 3 1.5 1.0 20
2N6802 TO-205AF DISCRETE N 500 1.5 2.5 1.5 25
IRF430 TO-204AA DISCRETE N 500 1.5 4.5 3 75
IRF440 TO-204AA DISCRETE N 500 0.85 8 5 125
IRF450 TO-204AA DISCRETE N 500 0.4 12 7.75 150
IRF460 TO-204AE DISCRETE N 500 0.27 21 14 300
IRFE420 18-pin LCC DISCRETE N 500 3 1.4 0.9 14
IRFE430 18-pin LCC DISCRETE N 500 1.5 2.5 1.5 25
IRFF420 TO-205AF DISCRETE N 500 3 1.5 1.0 20
IRFF430 TO-205AF DISCRETE N 500 1.5 2.5 1.5 25
IRFI460 TO-259AA DISCRETE N 500 0.27 21 13 300
IRFM440 TO-254AA DISCRETE N 500 0.85 8 5 125
IRFM450 TO-254AA DISCRETE N 500 0.415 12 8 150
IRFM460 TO-254AA DISCRETE N 500 0.27 19 12 250
IRFMA450 TO-254AA DISCRETE N 500 0.415 12 8 150
IRFN440 SMD-1 DISCRETE N 500 0.85 8 5 125
IRFN450 SMD-1 DISCRETE N 500 0.415 12 8 150
IRFV460 TO-258AA DISCRETE N 500 0.27 21 13 300
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
IRFY11N50CMA TO-257AA DISCRETE N 500 0.53 10 6.6 125
IRFY430CM TO-257AA DISCRETE N 500 1.5 4.5 2.8 75
IRFY440CM TO-257AA DISCRETE N 500 0.85 7 4.4 100
JANTX2N6762 TO-204AA DISCRETE N 500 1.5 4.5 3 75
JANTX2N6770 TO-204AA DISCRETE N 500 0.4 12 7.75 150
JANTX2N6794 TO-205AF DISCRETE N 500 3 1.5 1 20
JANTX2N6794U 18-pin LCC DISCRETE N 500 3 1.4 0.9 14
JANTX2N6802 TO-205AF DISCRETE N 500 1.5 2.5 1.5 25
JANTX2N6802U 18-pin LCC DISCRETE N 500 1.5 2.5 1.5 25
JANTX2N7222 TO-254AA DISCRETE N 500 0.85 8 5 125
JANTX2N7222U SMD-1 DISCRETE N 500 0.85 8 5 125
JANTX2N7228 TO-254AA DISCRETE N 500 0.415 12 8 150
JANTX2N7228U SMD-1 DISCRETE N 500 0.415 12 8 150
JANTXV2N6762 TO-204AA DISCRETE N 500 1.5 4.5 3 75
JANTXV2N6770 TO-204AA DISCRETE N 500 0.4 12 7.75 150
JANTXV2N6794 TO-205AF DISCRETE N 500 3 1.5 1 20
JANTXV2N6794U 18-pin LCC DISCRETE N 500 3 1.4 0.9 14
JANTXV2N6802 TO-205AF DISCRETE N 500 1.5 2.5 1.5 25
JANTXV2N6802U 18-pin LCC DISCRETE N 500 1.5 2.5 1.5 25
JANTXV2N7222 TO-254AA DISCRETE N 500 0.85 8 5 125
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
JANTXV2N7222U SMD-1 DISCRETE N 500 0.85 8 5 125
JANTXV2N7228 TO-254AA DISCRETE N 500 0.415 12 8 150
JANTXV2N7228U SMD-1 DISCRETE N 500 0.415 12 8 150
OM6004SR D2 DISCRETE N 500 1.6 4.5 3 50
OM6041SM SMD-3 DISCRETE N 500 1.6 4 2 50
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники