В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 200 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
2N6758 TO-204AA DISCRETE N 200 0.4 9 6 75
2N6766 TO-204AE DISCRETE N 200 0.085 30 19 150
2N6784 TO-205AF DISCRETE N 200 1.5 2.25 1.5 15
2N6790 TO-205AF DISCRETE N 200 0.8 3.5 2.25 20
2N6798 TO-205AF DISCRETE N 200 0.4 5.5 3.5 25
IRF230 TO-204AA DISCRETE N 200 0.4 9 6 75
IRF240 TO-204AE DISCRETE N 200 0.18 18 11 125
IRF250 TO-204AE DISCRETE N 200 0.085 30 19 150
IRF5Y31N20 TO-257AA DISCRETE N 200 0.092 18 14 100
IRF9240 TO-204AA DISCRETE P -200 0.5 -11 -7.0 125
IRFE210 18-pin LCC DISCRETE N 200 1.5 2.25 1.5 15
IRFE220 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.8 2.8 1.8 14
IRFE230 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.4 5.5 3.5 25
IRFEA240 28-pin LCC DISCRETE N 200 0.18 11 7 50
IRFF210 TO-205AF DISCRETE N 200 1.5 2.25 1.5 15
IRFF220 TO-205AF DISCRETE N 200 0.8 3.5 2.25 20
IRFF230 TO-205AF DISCRETE N 200 0.4 5.5 3.5 25
IRFI260 TO-259AA DISCRETE N 200 0.06 45 29 300
IRFM240 TO-254AA DISCRETE N 200 0.18 18 11 125
IRFM250 TO-254AA DISCRETE N 200 0.1 27.4 17 150
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
IRFM260 TO-254AA DISCRETE N 200 0.06 35 28 250
IRFN240 SMD-1 DISCRETE N 200 0.18 18 11 125
IRFN250 SMD-1 DISCRETE N 200 0.1 27.4 17 150
IRFV260 TO-258AA DISCRETE N 200 0.06 45 29 300
IRFY240CM TO-257AA DISCRETE N 200 0.18 16 10.2 100
JANTX2N6758 TO-204AA DISCRETE N 200 0.4 9 6 75
JANTX2N6766 TO-204AE DISCRETE N 200 0.085 30 19 150
JANTX2N6784 TO-205AF DISCRETE N 200 1.5 2.25 1.5 15
JANTX2N6784U 18-pin LCC DISCRETE N 200 1.5 2.25 1.5 15
JANTX2N6790 TO-205AF DISCRETE N 200 0.8 3.5 2.25 20
JANTX2N6790U 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.8 2.8 1.8 14
JANTX2N6798 TO-205AF DISCRETE N 200 0.4 5.5 3.5 25
JANTX2N6798U 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.4 5.5 3.5 25
JANTX2N7219 TO-254AA DISCRETE N 200 0.18 18 11 125
JANTX2N7219U SMD-1 DISCRETE N 200 0.18 18 11 125
JANTX2N7225 TO-254AA DISCRETE N 200 0.1 27.4 17 150
JANTX2N7225U SMD-1 DISCRETE N 200 0.1 27.4 17 150
JANTXV2N6758 TO-204AA DISCRETE N 200 0.4 9 6 75
JANTXV2N6766 TO-204AE DISCRETE N 200 0.085 30 19 150
JANTXV2N6784 TO-205AF DISCRETE N 200 1.5 2.25 1.5 15
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
JANTXV2N6784U 18-pin LCC DISCRETE N 200 1.5 2.25 1.5 15
JANTXV2N6790 TO-205AF DISCRETE N 200 0.8 3.5 2.25 20
JANTXV2N6790U 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.8 2.8 1.8 14
JANTXV2N6798 TO-205AF DISCRETE N 200 0.4 5.5 3.5 25
JANTXV2N6798U 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.4 5.5 3.5 25
JANTXV2N7219 TO-254AA DISCRETE N 200 0.18 18 11 125
JANTXV2N7219U SMD-1 DISCRETE N 200 0.18 18 11 125
JANTXV2N7225 TO-254AA DISCRETE N 200 0.1 27.4 17 150
JANTXV2N7225U SMD-1 DISCRETE N 200 0.1 27.4 17 150
OM6002SR D2 DISCRETE N 200 0.44 9 6 50
OM6039SM SMD-3 DISCRETE N 200 0.44 9 5 50
OM6051SJ TO-267AA DISCRETE N 200 0.03 35   280
OM6057SB PB-3A DISCRETE N 200 0.018 100 44 570
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники