N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 12-55 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Полярность |
BVDSS |
Rds(on) |
ID @ 25°C |
ID @ 100°C |
Мощность рассеяния |
 IRF5M3205 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
55 |
0.015 |
35 |
35 |
125 |
| IRF5N3205 |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
55 |
0.008 |
55 |
55 |
75 |
| IRF5NJZ34 |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
55 |
0.04 |
22 |
16 |
40 |
| IRF5NJZ48 |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
55 |
0.016 |
22 |
22 |
75 |
| IRF5Y3205CM |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
55 |
0.022 |
18 |
18 |
100 |
| IRF5YZ48CM |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
55 |
0.026 |
18 |
18 |
75 |
| IRF7E3704 |
18-pin LCC |
DISCRETE |
N |
20 |
0.055 |
12 |
10 |
20 |
| IRF7F3704 |
TO-205AF |
DISCRETE |
N |
20 |
0.05 |
12 |
10.6 |
20 |
| IRF7N1405 |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
55 |
0.0053 |
55 |
55 |
100 |
| IRF7Y1405CM |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
55 |
0.0153 |
18 |
18 |
100 |
| IRL5NJ024 |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
55 |
0.06 |
17 |
11 |
35 |
| IRL5NJ7413 |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
30 |
0.014 |
22 |
22 |
75 |
| IRL5Y024CM |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
55 |
0.069 |
17 |
11 |
35 |
| IRL5Y7413CM |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
30 |
0.022 |
18 |
18 |
75 |
| IRL7N1404 |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
40 |
0.006 |
55 |
55 |
100 |
| IRL7NJ3802 |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
12 |
0.0085 |
22 |
22 |
50 |
| IRL7Y1905C |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
50 |
0.125 |
10 |
5.0 |
15 |
| IRL7YS1404CM |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
40 |
0.0085 |
20 |
20 |
100 |
- BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
- N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- Total Dose - кумулятивная доза облучения
|
