В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 12-55 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
IRF5M3205 TO-254AA DISCRETE N 55 0.015 35 35 125
IRF5N3205 SMD-1 DISCRETE N 55 0.008 55 55 75
IRF5NJZ34 SMD-0.5 DISCRETE N 55 0.04 22 16 40
IRF5NJZ48 SMD-0.5 DISCRETE N 55 0.016 22 22 75
IRF5Y3205CM TO-257AA DISCRETE N 55 0.022 18 18 100
IRF5YZ48CM TO-257AA DISCRETE N 55 0.026 18 18 75
IRF7E3704 18-pin LCC DISCRETE N 20 0.055 12 10 20
IRF7F3704 TO-205AF DISCRETE N 20 0.05 12 10.6 20
IRF7N1405 SMD-1 DISCRETE N 55 0.0053 55 55 100
IRF7Y1405CM TO-257AA DISCRETE N 55 0.0153 18 18 100
IRL5NJ024 SMD-0.5 DISCRETE N 55 0.06 17 11 35
IRL5NJ7413 SMD-0.5 DISCRETE N 30 0.014 22 22 75
IRL5Y024CM TO-257AA DISCRETE N 55 0.069 17 11 35
IRL5Y7413CM TO-257AA DISCRETE N 30 0.022 18 18 75
IRL7N1404 SMD-1 DISCRETE N 40 0.006 55 55 100
IRL7NJ3802 SMD-0.5 DISCRETE N 12 0.0085 22 22 50
IRL7Y1905C TO-257AA DISCRETE N 50 0.125 10 5.0 15
IRL7YS1404CM TO-257AA DISCRETE N 40 0.0085 20 20 100
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники