В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 100-150 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
2N6756 TO-204AA DISCRETE N 100 0.18 14 9 75
2N6764 TO-204AE DISCRETE N 100 0.055 38 24 150
2N6782 TO-205AF DISCRETE N 100 0.6 3.5 2.25 15
2N6788 TO-205AF DISCRETE N 100 0.3 6 3.5 20
2N6796 TO-205AF DISCRETE N 100 0.18 8 5.0 25
IRF130 TO-204AA DISCRETE N 100 0.18 14 9 75
IRF140 TO-204AE DISCRETE N 100 0.077 28 20 125
IRF150 TO-204AE DISCRETE N 100 0.055 38 24 150
IRF5EA1310 28-pin LCC DISCRETE N 100 0.036 23 15 38
IRF5M3415 TO-254AA DISCRETE N 150 0.049 35 22 125
IRF5M3710 TO-254AA DISCRETE N 100 0.03 35 29 125
IRF5N3415 SMD-1 DISCRETE N 150 0.042 37.5 22 125
IRF5N3710 SMD-1 DISCRETE N 100 0.028 45 30 125
IRF5NJ3315 SMD-0.5 DISCRETE N 150 0.08 20 12 75
IRF5NJ540 SMD-0.5 DISCRETE N 100 0.052 22 16 75
IRF5Y1310CM TO-257AA DISCRETE N 100 0.044 18 18 100
IRF5Y3315CM TO-257AA DISCRETE N 150 0.085 18 12 75
IRF5Y3710CM TO-257AA DISCRETE N 100 0.035 18 18 100
IRF5Y540CM TO-257AA DISCRETE N 100 0.058 25.6 16 75
IRFE110 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.6 3.5 2.25 15
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
IRFE120 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.3 6.0 3.5 20
IRFE130 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.18 8 5 25
IRFF110 TO-205AF DISCRETE N 100 0.6 3.5 2.25 15
IRFF120 TO-205AF DISCRETE N 100 0.3 6 3.5 20
IRFF130 TO-205AF DISCRETE N 100 0.18 8 5.0 25
IRFM140 TO-254AA DISCRETE N 100 0.077 28 20 125
IRFM150 TO-254AA DISCRETE N 100 0.07 34 21 150
IRFN140 SMD-1 DISCRETE N 100 0.077 28 20 125
IRFN150 SMD-1 DISCRETE N 100 0.06 34 21 150
IRFY130CM TO-257AA DISCRETE N 100 0.18 14.4 9.1 75
IRFY140CM TO-257AA DISCRETE N 100 0.077 16 16 100
IRLF120 TO-205AF DISCRETE N 100 0.35 5.3 3.4 20
JANTX2N6756 TO-204AA DISCRETE N 100 0.18 14 9 75
JANTX2N6764 TO-204AE DISCRETE N 100 0.055 38 24 150
JANTX2N6782 TO-205AF DISCRETE N 100 0.6 3.5 2.25 15
JANTX2N6782U 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.6 3.5 2.25 15
JANTX2N6788 TO-205AF DISCRETE N 100 0.3 6 3.5 20
JANTX2N6788U 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.3 6.0 3.5 20
JANTX2N6796 TO-205AF DISCRETE N 100 0.18 8 5 25
JANTX2N6796U 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.18 8.0 5 25
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
JANTX2N7218 TO-254AA DISCRETE N 100 0.077 28 20 125
JANTX2N7218U SMD-1 DISCRETE N 100 0.077 28 20 125
JANTX2N7224 TO-254AA DISCRETE N 100 0.07 34 21 150
JANTX2N7224U SMD-1 DISCRETE N 100 0.07 34 21 150
JANTXV2N6756 TO-204AA DISCRETE N 100 0.18 14 9 75
JANTXV2N6764 TO-204AE DISCRETE N 100 0.055 38 24 150
JANTXV2N6782 TO-205AF DISCRETE N 100 0.6 3.5 2.25 15
JANTXV2N6782U 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.6 3.5 2.25 15
JANTXV2N6788 TO-205AF DISCRETE N 100 0.3 6 3.5 20
JANTXV2N6788U 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.3 6.0 3.5 20
JANTXV2N6796 TO-205AF DISCRETE N 100 0.18 8 5 25
JANTXV2N6796U 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.18 8.0 5 25
JANTXV2N7218 TO-254AA DISCRETE N 100 0.077 28 20 125
JANTXV2N7218U SMD-1 DISCRETE N 100 0.077 28 20 125
JANTXV2N7224 TO-254AA DISCRETE N 100 0.07 34 21 150
JANTXV2N7224U SMD-1 DISCRETE N 100 0.07 34 21 150
OM6001SR D2 DISCRETE N 100 0.2 14 9 50
OM6005SC TO-258AA DISCRETE N 100 0.065 35 25 125
OM6021SC TO-259AA DISCRETE N 100 0.065 35 25 125
OM6038SM SMD-3 DISCRETE N 100 0.2 14 7 50
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) ID @ 25°C ID @ 100°C Мощность рассеяния
OM6050SJ TO-267AA DISCRETE N 100 0.014 35   110
OM6056SB PB-3A DISCRETE N 100 0.008 100   570
OM60N10SC TO-258AA DISCRETE N 100 0.025 35   125
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники