Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама
 




Мероприятия:




RadHard силовые p-канальные транзисторы на напряжение -200 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRH9230 TO-204AA DISCRETE P -200 0.8 -6 -4 100 75
IRH9250 TO-204AE DISCRETE P -200 0.315 -14 -9 100 150
IRH93230 TO-204AA DISCRETE P -200 0.8 -6.5 -4.1 300 75
IRH93250 TO-204AE DISCRETE P -200 0.315 -14 -9 300 150
IRHE9230 18-pin LCC DISCRETE P -200 0.8 -4.0 -2.4 100 25
IRHE93230 18-pin LCC DISCRETE P -200 0.8 -4.0 -2.4 300 25
IRHF593230 TO-205AF DISCRETE P -200 0.54 -4.5 -3 300 25
IRHF597230 TO-205AF DISCRETE P -200 0.54 -4.5 -3 100 25
IRHF9230 TO-205AF DISCRETE P -200 0.8 -4 -2.4 100 25
IRHF93230 TO-205AF DISCRETE P -200 0.8 -4 -2.4 300 25
IRHM9230 TO-254AA DISCRETE P -200 0.8 -6.5 -4.1 100 75
IRHM9250 TO-254AA DISCRETE P -200 0.315 -14 -9 100 150
IRHM9260 TO-254AA DISCRETE P -200 0.160 -27 -17 100 250
IRHM93230 TO-254AA DISCRETE P -200 0.8 -6.5 -4.1 300 75
IRHM93250 TO-254AA DISCRETE P -200 0.315 -14 -9 300 150
IRHM93260 TO-254AA DISCRETE P -200 0.160 -27 -17 300 250
IRHMS593260 TO-254AA DISCRETE P -200 0.103 -32 -20 300 208
IRHMS597260 TO-254AA DISCRETE P -200 0.103 -32 -20 100 208
IRHN9230 SMD-1 DISCRETE P -200 0.8 -6.5 -4 100 75
IRHN9250 SMD-1 DISCRETE P -200 0.315 -14 -9 100 150
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRHN93230 SMD-1 DISCRETE P -200 0.8 -6.5 -4 300 75
IRHN93250 SMD-1 DISCRETE P -200 0.315 -14 -9 300 150
IRHNA593260 SMD-2 DISCRETE P -200 0.102 -35.5 -22.5 300 300
IRHNA597260 SMD-2 DISCRETE P -200 0.102 -35.5 -22.5 100 300
IRHNA9260 SMD-2 DISCRETE P -200 0.154 -29 -18 100 300
IRHNA93260 SMD-2 DISCRETE P -200 0.154 -29 -18 300 300
IRHNJ593230 SMD-0.5 DISCRETE P -200 0.505 -8.0 -5 300 75
IRHNJ597230 SMD-0.5 DISCRETE P -200 0.505 -8.0 -5 100 75
IRHY593230CM TO-257AA DISCRETE P -200 0.55 -8.0 -5 300 75
IRHY597230CM TO-257AA DISCRETE P -200 0.55 -8.0 -5 100 75
IRHY9230CM TO-257AA DISCRETE P -200 0.8 -6.5 -4 100 75
IRHY93230CM TO-257AA DISCRETE P -200 0.8 -6.5 -4 300 75
JANSF2N7383 TO-257AA DISCRETE P -200 0.8 -6.5 -4 300 75
JANSF2N7390 TO-205AF DISCRETE P -200 0.8 -4 -2.4 300 25
JANSF2N7390U 18-pin LCC DISCRETE P -200 0.80 -4.0 -2.4 300 25
JANSF2N7423 TO-254AA DISCRETE P -200 0.315 -14 -9 300 150
JANSF2N7423U SMD-1 DISCRETE P -200 0.315 -14 -9 300 150
JANSF2N7426 TO-254AA DISCRETE P -200 0.160 -27 -17 300 250
JANSF2N7426U SMD-2 DISCRETE P -200 0.154 -29 -18 300 300
JANSR2N7383 TO-257AA DISCRETE P -200 0.8 -6.5 -4 100 75
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
JANSR2N7390 TO-205AF DISCRETE P -200 0.8 -4 -2.4 100 25
JANSR2N7390U 18-pin LCC DISCRETE P -200 0.80 -4.0 -2.4 100 25
JANSR2N7423 TO-254AA DISCRETE P -200 0.315 -14 -9 100 150
JANSR2N7423U SMD-1 DISCRETE P -200 0.315 -14 -9 100 150
JANSR2N7426 TO-254AA DISCRETE P -200 0.160 -27 -17 100 250
JANSR2N7426U SMD-2 DISCRETE P -200 0.154 -29 -18 100 300
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники