RadHard силовые p-канальные транзисторы на напряжение -100 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRH9130	TO-204AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	100	75
IRH9150	TO-204AE	DISCRETE	P	-100	0.075	-22	-14	100	150
IRH93130	TO-204AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	300	75
IRH93150	TO-204AE	DISCRETE	P	-100	0.075	-22	-14	300	150
IRHE9130	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	100	25
IRHE93130	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	300	25
IRHF593110	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	1.0	-2.6	-1.6	300	15
IRHF597110	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	1.0	-2.6	-1.6	100	15
IRHF9130	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	100	25
IRHF93130	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	300	25
IRHM9130	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	100	75
IRHM9150	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.08	-22	-14	100	150
IRHM9160	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.073	-35	-22	100	250
IRHM93130	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	300	75
IRHM93150	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.08	-22	-14	300	150
IRHM93160	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.073	-35	-24	300	250
IRHMS593160	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.049	-45	-30	300	250
IRHMS597160	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.049	-45	-30	100	250
IRHN9130	SMD-1	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	100	75
IRHN9150	SMD-1	DISCRETE	P	-100	0.08	-22	-14	100	150
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHN93130	SMD-1	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	300	75
IRHN93150	SMD-1	DISCRETE	P	-100	0.08	-22	-14	300	150
IRHNA593160	SMD-2	DISCRETE	P	-100	0.049	-52	-33	300	300
IRHNA597160	SMD-2	DISCRETE	P	-100	0.049	-52	-33	100	300
IRHNA9160	SMD-2	DISCRETE	P	-100	0.068	-38	-24	100	300
IRHNA93160	SMD-2	DISCRETE	P	-100	0.068	-38	-24	300	300
IRHNJ593130	SMD-0.5	DISCRETE	P	-100	0.205	-12.5	-8	300	75
IRHNJ597130	SMD-0.5	DISCRETE	P	-100	0.205	-12.5	-8	100	75
IRHNJ9130	SMD-0.5	DISCRETE	P	-100	0.29	-11	-7	100	75
IRHNJ93130	SMD-0.5	DISCRETE	P	-100	0.29	-11	-7	300	75
IRHY593130CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.215	-12.5	-8	300	75
IRHY597130CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.215	-12.5	-8	100	75
IRHY9130CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	100	75
IRHY93130CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	300	75
JANSF2N7382	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	300	75
JANSF2N7389	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	300	25
JANSF2N7389U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	0.30	-6.5	-4.1	300	25
JANSF2N7422	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.08	-22	-14	300	150
JANSF2N7422U	SMD-1	DISCRETE	P	-100	0.08	-22	-14	300	150
JANSF2N7425	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.073	-35	-24	300	250
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
JANSF2N7425U	SMD-2	DISCRETE	P	-100	0.068	-38	-24	300	300
JANSR2N7382	TO-257AA	DISCRETE	P	-100	0.3	-11	-7	100	75
JANSR2N7389	TO-205AF	DISCRETE	P	-100	0.3	-6.5	-4.1	100	25
JANSR2N7389U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-100	0.30	-6.5	-4.1	100	25
JANSR2N7422	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.08	-22	-14	100	150
JANSR2N7422U	SMD-1	DISCRETE	P	-100	0.08	-22	-14	100	150
JANSR2N7425	TO-254AA	DISCRETE	P	-100	0.073	-35	-24	100	250
JANSR2N7425U	SMD-2	DISCRETE	P	-100	0.068	-38	-24	100	300

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи