В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



RadHard силовые p-канальные транзисторы на напряжение -100 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRH9130 TO-204AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 100 75
IRH9150 TO-204AE DISCRETE P -100 0.075 -22 -14 100 150
IRH93130 TO-204AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 300 75
IRH93150 TO-204AE DISCRETE P -100 0.075 -22 -14 300 150
IRHE9130 18-pin LCC DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 100 25
IRHE93130 18-pin LCC DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 300 25
IRHF593110 TO-205AF DISCRETE P -100 1.0 -2.6 -1.6 300 15
IRHF597110 TO-205AF DISCRETE P -100 1.0 -2.6 -1.6 100 15
IRHF9130 TO-205AF DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 100 25
IRHF93130 TO-205AF DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 300 25
IRHM9130 TO-254AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 100 75
IRHM9150 TO-254AA DISCRETE P -100 0.08 -22 -14 100 150
IRHM9160 TO-254AA DISCRETE P -100 0.073 -35 -22 100 250
IRHM93130 TO-254AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 300 75
IRHM93150 TO-254AA DISCRETE P -100 0.08 -22 -14 300 150
IRHM93160 TO-254AA DISCRETE P -100 0.073 -35 -24 300 250
IRHMS593160 TO-254AA DISCRETE P -100 0.049 -45 -30 300 250
IRHMS597160 TO-254AA DISCRETE P -100 0.049 -45 -30 100 250
IRHN9130 SMD-1 DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 100 75
IRHN9150 SMD-1 DISCRETE P -100 0.08 -22 -14 100 150
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRHN93130 SMD-1 DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 300 75
IRHN93150 SMD-1 DISCRETE P -100 0.08 -22 -14 300 150
IRHNA593160 SMD-2 DISCRETE P -100 0.049 -52 -33 300 300
IRHNA597160 SMD-2 DISCRETE P -100 0.049 -52 -33 100 300
IRHNA9160 SMD-2 DISCRETE P -100 0.068 -38 -24 100 300
IRHNA93160 SMD-2 DISCRETE P -100 0.068 -38 -24 300 300
IRHNJ593130 SMD-0.5 DISCRETE P -100 0.205 -12.5 -8 300 75
IRHNJ597130 SMD-0.5 DISCRETE P -100 0.205 -12.5 -8 100 75
IRHNJ9130 SMD-0.5 DISCRETE P -100 0.29 -11 -7 100 75
IRHNJ93130 SMD-0.5 DISCRETE P -100 0.29 -11 -7 300 75
IRHY593130CM TO-257AA DISCRETE P -100 0.215 -12.5 -8 300 75
IRHY597130CM TO-257AA DISCRETE P -100 0.215 -12.5 -8 100 75
IRHY9130CM TO-257AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 100 75
IRHY93130CM TO-257AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 300 75
JANSF2N7382 TO-257AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 300 75
JANSF2N7389 TO-205AF DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 300 25
JANSF2N7389U 18-pin LCC DISCRETE P -100 0.30 -6.5 -4.1 300 25
JANSF2N7422 TO-254AA DISCRETE P -100 0.08 -22 -14 300 150
JANSF2N7422U SMD-1 DISCRETE P -100 0.08 -22 -14 300 150
JANSF2N7425 TO-254AA DISCRETE P -100 0.073 -35 -24 300 250
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
JANSF2N7425U SMD-2 DISCRETE P -100 0.068 -38 -24 300 300
JANSR2N7382 TO-257AA DISCRETE P -100 0.3 -11 -7 100 75
JANSR2N7389 TO-205AF DISCRETE P -100 0.3 -6.5 -4.1 100 25
JANSR2N7389U 18-pin LCC DISCRETE P -100 0.30 -6.5 -4.1 100 25
JANSR2N7422 TO-254AA DISCRETE P -100 0.08 -22 -14 100 150
JANSR2N7422U SMD-1 DISCRETE P -100 0.08 -22 -14 100 150
JANSR2N7425 TO-254AA DISCRETE P -100 0.073 -35 -24 100 250
JANSR2N7425U SMD-2 DISCRETE P -100 0.068 -38 -24 100 300
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники