В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



RadHard силовые n-канальные транзисторы на напряжение 60 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRH7054 TO-204AE DISCRETE N 60 0.025 45 32 100 150
IRH8054 TO-204AE DISCRETE N 60 0.025 45 32 1000 150
IRHE53034 18-pin LCC DISCRETE N 60 0.08 12 7.4 100 25
IRHE57034 18-pin LCC DISCRETE N 60 0.08 12 7.4 300 25
IRHF57034 TO-205AF DISCRETE N 60 0.048 12 10 100 25
IRHF58034 TO-205AF DISCRETE N 60 0.06 12 10 1000 25
IRHLF770Z4 TO-39 DISCRETE N 60 0.5 1.6 1 100 5
IRHLUB770Z4 UB DISCRETE N 60 0.55 0.8 0.5 100 0.6
IRHM57064 TO-254AA DISCRETE N 60 0.012 35 35 100 250
IRHM58064 TO-254AA DISCRETE N 60 0.013 35 35 1000 250
IRHM7054 TO-254AA DISCRETE N 60 0.027 35 30 100 150
IRHM7064 TO-254AA DISCRETE N 60 0.021 35 35 100 250
IRHM8054 TO-254AA DISCRETE N 60 0.027 35 30 1000 150
IRHM8064 TO-254AA DISCRETE N 60 0.021 35 35 1000 250
IRHN7054 SMD-1 DISCRETE N 60 0.027 35 30 100 150
IRHN8054 SMD-1 DISCRETE N 60 0.027 35 30 1000 150
IRHNA57064 SMD-2 DISCRETE N 60 0.0056 75 75 100 300
IRHNA58064 SMD-2 DISCRETE N 60 0.0065 75 75 1000 300
IRHNA7064 SMD-2 DISCRETE N 60 0.015 75 56 100 300
IRHNA8064 SMD-2 DISCRETE N 60 0.015 75 56 1000 300
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRHNB7064 SMD-3 DISCRETE N 60 0.015 75 56 100 300
IRHNB8064 SMD-3 DISCRETE N 60 0.015 75 56 1000 300
IRHNJ57034 SMD-0.5 DISCRETE N 60 0.03 22 21 100 75
IRHNJ58034 SMD-0.5 DISCRETE N 60 0.038 22 21 1000 75
IRHY57034CM TO-257AA DISCRETE N 60 0.04 18 18 100 75
IRHY58034CM TO-257AA DISCRETE N 60 0.048 18 18 1000 75
JANSF2N7394 TO-254AA DISCRETE N 60 0.027 35 30 300 150
JANSF2N7394U SMD-1 DISCRETE N 60 0.027 35 30 300 150
JANSF2N7431 TO-254AA DISCRETE N 60 0.021 35 35 300 250
JANSG2N7394 TO-254AA DISCRETE N 60 0.027 35 30 600 150
JANSG2N7394U SMD-1 DISCRETE N 60 0.027 35 30 600 150
JANSG2N7431 TO-254AA DISCRETE N 60 0.021 35 35 600 250
JANSH2N7394 TO-254AA DISCRETE N 60 0.027 35 30 1000 150
JANSH2N7394U SMD-1 DISCRETE N 60 0.027 35 30 1000 150
JANSH2N7431 TO-254AA DISCRETE N 60 0.021 35 35 1000 250
JANSH2N7431U SMD-2 DISCRETE N 60 0.015 75 56 1000 300
JANSR2N7394 TO-254AA DISCRETE N 60 0.027 35 30 100 150
JANSR2N7394U SMD-1 DISCRETE N 60 0.027 35 30 100 150
JANSR2N7431 TO-254AA DISCRETE N 60 0.021 35 35 100 250
JANSR2N7431U SMD-2 DISCRETE N 60 0.015 75 56 100 300
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники