RadHard силовые n-канальные транзисторы на напряжение 60 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRH7054	TO-204AE	DISCRETE	N	60	0.025	45	32	100	150
IRH8054	TO-204AE	DISCRETE	N	60	0.025	45	32	1000	150
IRHE53034	18-pin LCC	DISCRETE	N	60	0.08	12	7.4	100	25
IRHE57034	18-pin LCC	DISCRETE	N	60	0.08	12	7.4	300	25
IRHF57034	TO-205AF	DISCRETE	N	60	0.048	12	10	100	25
IRHF58034	TO-205AF	DISCRETE	N	60	0.06	12	10	1000	25
IRHLF770Z4	TO-39	DISCRETE	N	60	0.5	1.6	1	100	5
IRHLUB770Z4	UB	DISCRETE	N	60	0.55	0.8	0.5	100	0.6
IRHM57064	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.012	35	35	100	250
IRHM58064	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.013	35	35	1000	250
IRHM7054	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	100	150
IRHM7064	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.021	35	35	100	250
IRHM8054	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	1000	150
IRHM8064	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.021	35	35	1000	250
IRHN7054	SMD-1	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	100	150
IRHN8054	SMD-1	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	1000	150
IRHNA57064	SMD-2	DISCRETE	N	60	0.0056	75	75	100	300
IRHNA58064	SMD-2	DISCRETE	N	60	0.0065	75	75	1000	300
IRHNA7064	SMD-2	DISCRETE	N	60	0.015	75	56	100	300
IRHNA8064	SMD-2	DISCRETE	N	60	0.015	75	56	1000	300
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHNB7064	SMD-3	DISCRETE	N	60	0.015	75	56	100	300
IRHNB8064	SMD-3	DISCRETE	N	60	0.015	75	56	1000	300
IRHNJ57034	SMD-0.5	DISCRETE	N	60	0.03	22	21	100	75
IRHNJ58034	SMD-0.5	DISCRETE	N	60	0.038	22	21	1000	75
IRHY57034CM	TO-257AA	DISCRETE	N	60	0.04	18	18	100	75
IRHY58034CM	TO-257AA	DISCRETE	N	60	0.048	18	18	1000	75
JANSF2N7394	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	300	150
JANSF2N7394U	SMD-1	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	300	150
JANSF2N7431	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.021	35	35	300	250
JANSG2N7394	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	600	150
JANSG2N7394U	SMD-1	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	600	150
JANSG2N7431	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.021	35	35	600	250
JANSH2N7394	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	1000	150
JANSH2N7394U	SMD-1	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	1000	150
JANSH2N7431	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.021	35	35	1000	250
JANSH2N7431U	SMD-2	DISCRETE	N	60	0.015	75	56	1000	300
JANSR2N7394	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	100	150
JANSR2N7394U	SMD-1	DISCRETE	N	60	0.027	35	30	100	150
JANSR2N7431	TO-254AA	DISCRETE	N	60	0.021	35	35	100	250
JANSR2N7431U	SMD-2	DISCRETE	N	60	0.015	75	56	100	300

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи