Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 




Мероприятия:




RadHard силовые n-канальные транзисторы на напряжение 30 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRHE57Z30 18-pin LCC DISCRETE N 30 0.07 12 8 100 25
IRHE58Z30 18-pin LCC DISCRETE N 30 0.07 12 8 1000 25
IRHF57Z30 TO-205AF DISCRETE N 30 0.045 12 10 100 25
IRHF58Z30 TO-205AF DISCRETE N 30 0.056 12 10 1000 25
IRHM57Z60 TO-254AA DISCRETE N 30 0.0095 35 35 100 250
IRHM58Z60 TO-254AA DISCRETE N 30 0.010 35 35 1000 250
IRHM7Z60 TO-254AA DISCRETE N 30 0.014 35 35 100 250
IRHM8Z60 TO-254AA DISCRETE N 30 0.014 35 35 1000 250
IRHNA57Z60 SMD-2 DISCRETE N 30 0.0035 75 75 100 300
IRHNA58Z60 SMD-2 DISCRETE N 30 0.0035 75 75 1000 300
IRHNA7Z60 SMD-2 DISCRETE N 30 0.009 75 75 100 300
IRHNA8Z60 SMD-2 DISCRETE N 30 0.009 75 75 1000 300
IRHNB7Z60 SMD-3 DISCRETE N 30 0.009 75 75 100 300
IRHNB8Z60 SMD-3 DISCRETE N 30 0.009 75 75 1000 300
IRHNJ57Z30 SMD-0.5 DISCRETE N 30 0.02 22 22 100 75
IRHNJ58Z30 SMD-0.5 DISCRETE N 30 0.025 22 22 1000 75
IRHY57Z30CM TO-257AA DISCRETE N 30 0.03 18 18 100 75
IRHY58Z30CM TO-257AA DISCRETE N 30 0.035 18 18 1000 75
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники