Повышенной надежности n-канальные Hi-Rel SEE Hard Power MOSFETs на напряжение 600-1000 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Полярность |
BVDSS |
Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) |
ID @ 25°C |
ID @ 100°C |
Total Dose |
Мощность рассеяния |
 IRHM2C50SE |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
600 |
0.6 |
10.4 |
6.5 |
50 |
151 |
| IRHM7C50SE |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
600 |
0.6 |
10.4 |
6.5 |
100 |
151 |
| IRHN2C50SE |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
600 |
0.6 |
10.4 |
6.5 |
50 |
150 |
| IRHN7C50SE |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
600 |
0.6 |
10.4 |
6.5 |
100 |
150 |
- BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
- N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- Total Dose - кумулятивная доза облучения
|
