Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 




Мероприятия:




Повышенной надежности n-канальные Hi-Rel SEE Hard Power MOSFETs на напряжение 250 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRHF57234SE TO-205AF DISCRETE N 250 0.42 5.4 3.4 100 25
IRHM57264SE TO-254AA DISCRETE N 250 0.066 35 26 100 250
IRHM7264SE TO-254AA DISCRETE N 250 0.11 31 19 100 250
IRHNA57264SE SMD-2 DISCRETE N 250 0.06 49 31 100 300
IRHNA7264SE SMD-2 DISCRETE N 250 0.11 34 21 100 300
IRHNB7264SE SMD-3 DISCRETE N 250 0.11 34 21 100 300
IRHNJ57234SE SMD-0.5 DISCRETE N 250 0.40 10 6.4 100 75
IRHY57234CMSE TO-257AA DISCRETE N 250 0.41 10 6.4 100 75
JANSR2N7434 TO-254AA DISCRETE N 250 0.11 31 19 100 250
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники