Модульные диоды Шоттки с напряжением 100 вольт

Типономинал	Корпус	Схема	Vrrm	IF(av)	@ TC	Vfm	EAS	IAR	IRM @ VRWM 25C (mA)	TJ
123NQ100	D-67 HALF-Pak	DISCRETE	100	120	121	0.91	15	1	3	175
123NQ100R	D-67 HALF-Pak	DISCR. (R)	100	120	121	0.91	15	1	3	175
153CMQ100	D-60 (изолированный)	Общий катод	100	150	90	0.99	15	1	20	175
153CNQ100	D-60	Общий катод	100	150	107	0.8	15	1	35	175
163CMQ100	TO-249AA (изолированный)	Общий катод	100	160	87	0.98	15	1	1.5	175
163CNQ100	TO-249AA не изолированный	Общий катод	100	160	112	0.96	15	1	35	175
183NQ100	D-67 HALF-Pak	DISCRETE	100	180	116	0.95	15	1	4.5	175
183NQ100R	D-67 HALF-Pak	DISCR. (R)	100	180	116	0.95	15	1	4.5	175
203CMQ100	TO-244AB изолированный	Общий катод	100	200	100	0.84	15	1	70	175
203CNQ100	TO-244AB не изолированный	Общий катод	100	200	130	0.86	15	1	3	175
203CNQ100R	TO-244AB не изолированный	общий анод	100	200	137	0.86	15	1	3	175
203DMQ100	TO-244AB изолированный	DOUBLER	100	200	100	0.72	15	1	0.7	175
203DNQ100	TO-244AB не изолированный	DOUBLER	100	200	120	0.72	15	1	0.7	175
243NQ100	D-67 HALF-Pak	DISCRETE	100	240	120	0.86	15	1	6	175
243NQ100R	D-67 HALF-Pak	DISCR. (R)	100	240	120	0.86	15	1	6	175
303CNQ100	TO-244AB не изолированный	Общий катод	100	300	126	0.91	15	1	4.5	175
403CMQ100	TO-244AB изолированный	Общий катод	100	400	85	0.83	15	1	6	175
403CNQ100	TO-244AB не изолированный	Общий катод	100	400	105	0.83	15	1	6	175
403DMQ100	TO-244AB изолированный	DOUBLER	100	400	82	0.72	15	1.0	6	175

Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение

IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток

@TC (Temperature Case) - температура корпуса

Vfm (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения

EAS (Non-Repetitive Avalanche Energy) - допустимый неповторяющийся выброс энергии

IAR (Repetitive Avalanche Current) - повторяющийся лавинный ток

IRM@VRWM 25C (Maximum Reverse Leakage Current @ Working Peak Reverse Voltage) - максимальный обратный ток утечки при заданном рабочем пиковом обратном напряжении и температуре перехода Tj=25 °С

TJ (Junction Temperature) - температура p-n перехода

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи