В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Дискретные диоды Шоттки

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные диоды Шоттки с напряжением 40 вольт

Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
25C (mA)
TJ
10BQ040 SMB DISCRETE 40 1 112 0.53 18 0.2 0.1 100
10MQ040N SMA DISCRETE 40 1.5 123 0.54     0.5 150
10TQ040 TO-220AC DISCRETE 40 10 151 0.57 13 2 2 175
10TQ040S D2-Pak DISCRETE 40 10 151 0.57 13 2 2 175
11DQ04 DO-204AL DISCRETE 40 1.1 58 0.55     1 125
12CTQ040 TO-220AB Общий катод 40 12 157 0.57 8 1.2 0.8 175
12CTQ040-1 TO-262 Общий катод 40 12 157 0.57 8 1.2 0.8 175
12CTQ040S D2-Pak Общий катод 40 12 157 0.57 8 1.2 0.8 175
12CWQ04FN D-Pak Общий катод 40 12 135 0.52     3 150
12TQ040 TO-220AC DISCRETE 40 15 120 0.56 16 2.4 1.75 150
12TQ040S D2-Pak DISCRETE 40 15 120 0.56 16 2.4 1.75 150
15CTQ040 TO-220AB Общий катод 40 15 123 0.55 10 1.5 0.8 150
15CTQ040-1 TO-262 Общий катод 40 15 123 0.55 10 1.5 0.8 150
15CTQ040S D2-Pak Общий катод 40 15 123 0.55 10 1.5 0.8 150
15MQ040N SMA DISCRETE 40 2.1 106 0.42     0.5 150
18TQ040 TO-220AC DISCRETE 40 18 149 0.6 24 3.6 2.5 175
18TQ040S D2-Pak DISCRETE 40 18 149 0.6 24 3.6 2.5 175
1N5819 DO-204AL DISCRETE 40 1.0 90 0.55 N/A N/A 1.0 150
20CTQ040 TO-220AB Общий катод 40 20 145 0.64 13 2 2 175
20CTQ040-1 TO-262 Общий катод 40 20 145 0.64 13 2 2 175
Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
25C (mA)
TJ
20CTQ040S D2-Pak Общий катод 40 20 145 0.64 13 2 2 175
20TQ040 TO-220AC DISCRETE 40 20 116 0.57 27 4 2.7 150
20TQ040S D2-Pak DISCRETE 40 20 116 0.57 27 4 2.7 150
21DQ04 DO-204AL DISCRETE 40 2 112 0.55 N/A N/A 0.50 150
25CTQ040 TO-220AB Общий катод 40 30 102 0.56 20 3 1.75 150
25CTQ040-1 TO-262 Общий катод 40 30 102 0.56 20 3 1.75 150
25CTQ040S D2-Pak Общий катод 40 30 102 0.56 20 3 1.75 150
30BQ040 SMC DISCRETE 40 3 120 0.51 35 0.6 1.5 150
30CPQ040 TO-247AC Общий катод 40 30 124 0.54 20 3 1.75 150
30CTQ040 TO-220AB Общий катод 40 30 127 0.62 20 3 2 175
30CTQ040-1 TO-262 Общий катод 40 30 127 0.62 20 3 2 175
30CTQ040S D2-Pak Общий катод 40 30 127 0.62 20 3 2 175
30WQ04FN D-Pak DISCRETE 40 3.5 135 0.53     2 150
31DQ04 DO-201AD DISCRETE 40 3.3 35 0.55     3 125
40CPQ040 TO-247AC Общий катод 40 40 120 0.49 27 4 4 150
40L40CW TO-247AC Общий катод 40 40 122 0.53 20 3 0.8 150
50WQ04FN D-Pak DISCRETE 40 5.5 135 0.51     3 150
6CWQ04FN D-Pak Общий катод 40 7   0.53     2 150
6TQ040 TO-220AC DISCRETE 40 6 163 0.57 8 1.2 0.8 175
6TQ040S D2-Pak DISCRETE 40 6 163 0.57 8 1.2 0.8 175
Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
25C (mA)
TJ
80CNQ040A D61-8 Общий катод 40 80 114 0.47 54 8 5 150
80CNQ040ASL D61-8-SL Общий катод 40 80 114 0.47 54 8 5 150
80CNQ040ASM D61-8-SM Общий катод 40 80 114 0.47 54 8 5 150
80SQ040 DO-204AR DISCRETE 40 8 119 0.53 10 1.6 2 175
81CNQ040A D61-8 Общий катод 40 80 141 0.54 54 8 5 175
81CNQ040ASL D61-8-SL Общий катод 40 80 141 0.54 54 8 5 175
81CNQ040ASM D61-8-SM Общий катод 40 80 141 0.54 54 8 5 175
90SQ040 DO-204AR DISCRETE 40 9 69 0.48 12 1.8 1.75 150
IR140CSP Flipky DISCRETE 40 1.0 99 0.38 10 2.0 0.02 150
IR1H40CSPTR Flipky DISCRETE 40 1.0 117 0.48 10 2.0 0.05 150
MBR0540 SOD-123 DISCRETE 40 0.5 122 0.48 N/A N/A 0.02 150
MBR340 DO-204AL DISCRETE 40 3.0 150 0.6 N/A N/A 0.6 150
MBRA140TR SMA DISCRETE 40 1.0 118 0.49 N/A N/A 0.5 150
MBRD340 D-Pak DISCRETE 40 3.0 133 0.6 N/A N/A 0.2 150
MBRS140TR SMB DISCRETE 40 1.0 119 0.53 18 0.2 N/A 150
MBRS340TR SMC DISCRETE 40 3.0 118 0.43 15 0.4 2.0 150
STPS40L40CW TO-247AC DISCRETE 40 40 120 0.59 27 4 0.8 150
Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
@TC (Temperature Case) - температура корпуса
Vfm (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения
EAS (Non-Repetitive Avalanche Energy) - допустимый неповторяющийся выброс энергии
IAR (Repetitive Avalanche Current) - повторяющийся лавинный ток
IRM@VRWM 25C (Maximum Reverse Leakage Current @ Working Peak Reverse Voltage) - максимальный обратный ток утечки при заданном рабочем пиковом обратном напряжении и температуре перехода Tj=25 °С
TJ (Junction Temperature) - температура p-n перехода
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники