Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Дискретные диоды Шоттки

реклама

 




Мероприятия:




Дискретные диоды Шоттки с напряжением 100 вольт

Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
25C (mA)
TJ
100BGQ100J PowIRtab (Short) DISCRETE 100 100 129 0.84 9 2.0 0.3 175
10BQ100 SMB DISCRETE 100 1 152 0.78 9.7 1 0.5 175
10MQ100N SMA DISCRETE 100 1.5 126 0.78     0.1 150
113CNQ100A D61-8 Общий катод 100 110 150 0.67 15 1.0 1.0 175
113CNQ100ASL D61-8-SL Общий катод 100 110 150 0.67 15 1.0 1.0 175
113CNQ100ASM D61-8-SM Общий катод 100 110 150 0.67 15 1.0 1.0 175
11DQ10 DO-204AL DISCRETE 100 1.1 48 0.85     0.5 125
12CWQ10FN D-Pak Общий катод 100 12 134 0.8     1 150
16CTQ100 TO-220AB Общий катод 100 16 145 0.72 7.5 0.5 0.55 175
16CTQ100-1 TO-262 Общий катод 100 16 145 0.72 7.5 0.5 0.55 175
16CTQ100S D2-Pak Общий катод 100 16 148 0.72 7.5 0.5 0.55 175
20CJQ100 SOT-223 Общий катод 100 2 152 0.79 13 1 0.1 175
30BQ100 SMC DISCRETE 100 3 143 0.79 50 2.8 0.5 100
30CPQ100 TO-247AC Общий катод 100 30 140 0.86 7.5 0.5 0.55 175
30CTQ100 TO-220AB Общий катод 100 30 129 0.86 7.5 0.5 0.55 175
30CTQ100-1 TO-262 Общий катод 100 30 129 0.86 7.5 0.5 0.55 175
30CTQ100S D2-Pak Общий катод 100 30 129 0.86 7.5 0.5 0.55 175
30WQ10FN D-Pak DISCRETE 100 3.5 135 0.81     1 150
31DQ10 DO-201AD DISCRETE 100 3.3 25 0.85     1 125
40CPQ100 TO-247AC Общий катод 100 40 145 0.77 11.25 0.75 1.25 175
Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
25C (mA)
TJ
43CTQ100 TO-220AB Общий катод 100 40 135 0.81 7.5 0.5 1 175
43CTQ100-1 TO-262 Общий катод 100 40 135 0.81 7.5 0.5 1 175
43CTQ100S D2-Pak Общий катод 100 40 135 0.81 7.5 0.5 1 175
50SQ100 DO-204AR DISCRETE 100 5 119 0.66 15 1 0.55 175
50WQ10FN D-Pak DISCRETE 100 5.5 135 0.77     1 150
63CPQ100 TO-247AC Общий катод 100 60 153 0.64 15 1 0.3 175
63CTQ100 TO-220AB Общий катод 100 60 139 0.82 11.25 0.75 0.3 175
6CWQ10FN D-Pak Общий катод 100 7 135 0.81     1 150
83CNQ100A D61-8 Общий катод 100 80 132 0.67 15 1 1.5 175
83CNQ100ASL D61-8-SL Общий катод 100 80 132 0.67 15 1 1.5 175
83CNQ100ASM D61-8-SM Общий катод 100 80 132 0.67 15 1 1.5 175
8TQ100 TO-220AC DISCRETE 100 8 157 0.72 7.5 0.5 0.55 175
8TQ100S D2-Pak DISCRETE 100 8 159 0.72 7.5 0.5 0.55 175
MBR1100 DO-204AL DISCRETE 100 1.0 85 0.68 N/A N/A 0.5 150
MBR20100CT TO-220AB Общий катод 100 20 133 0.8     0.15 150
MBR20100CT-1 TO-262 Общий катод 100 20 133 0.85     0.15 150
MBRB20100CT D2-Pak Общий катод 100 20 133 0.95 24   0.1 150
MBRS1100TR SMB DISCRETE 100 1.0 147 0.62 6.0 0.5 0.5 175
Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
@TC (Temperature Case) - температура корпуса
Vfm (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения
EAS (Non-Repetitive Avalanche Energy) - допустимый неповторяющийся выброс энергии
IAR (Repetitive Avalanche Current) - повторяющийся лавинный ток
IRM@VRWM 25C (Maximum Reverse Leakage Current @ Working Peak Reverse Voltage) - максимальный обратный ток утечки при заданном рабочем пиковом обратном напряжении и температуре перехода Tj=25 °С
TJ (Junction Temperature) - температура p-n перехода
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники