В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > ИС управления > Драйверы 2 ключей разного уровня

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



IR2152

Самотактируемый полумостовой драйвер

Отличительные особенности:

  • Управляющие каналы разработаны для нагруженного функционирования полностью работоспособны до +600В
  • Нечувствителен к отрицательным напряжениям при переходных процессах
  • Стойкость к скорости нарастания напряжения (dV/dt)
  • Блокировка при снижении напряжения
  • Программируемая частота генератора
  • Согласованная задержка распространения для обоих каналов
  • Выход драйвера нижнего уровня в фазе с RT
  • Напряжение смещения VOFFSET не более 600В
  • Скважность 2 (меандр)
  • Имп.вых. ток к.з Iо± 100 мА/ 210 мА
  • Выходное напряжение драйверов VOUT 10 – 20В
  • Время вкл./выкл. 850/150 нс
  • Пауза 1.2 мкс

Типовая схема включения:

Блок-схема:

Расположение выводов:

Описание выводов:

Rt Резистор задающего генератора, для нормального функционирования в фазе с LO
Ct Конденсатор задающего генератора
VB Напряжение питания ключей верхнего уровня
HO Выход драйвера верхнего уровня
VS Возврат питания верхнего уровня
VCC Питание драйверов нижнего уровня и логики
LO Выход драйвера нижнего уровня
COM Возврат питания нижнего уровня

Описание:

IR2152 – драйвер с самотактированием высоковольтных, высокоскоростных МОП-транзисторов или IGBT-транзисторов с выходными каналами нижнего и верхнего уровней. Собственная HVIC-технология и стойкая к защелкиванию КМОП-технология позволили создать монолитную конструкцию. Внешние параметры генератора определяются эквивалентно таймеру 555 (К1006ВИ1).

Выходы драйверов отличаются высоким импульсным током буферного каскада и паузой при переключении каналов, что выполнено для минимизации встречной проводимости драйвера. Задержки распространения сигналов для обеих каналов согласованы для упрощения использования в приложениях со скважностью. 2. Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 600В.

Документация:

  95 Kb Engl Описание микросхемы
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники