В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Модульные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® фирмы International Rectifier

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) Rds(on) -- baseline (ohms) @ Vgs ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
I19MT050XF MTP Full-Bridge FREDFET N 500 0.152 10 31 19 62.5 1000
IFA38SA50LC SOT-227 (Iso) DISCRETE N 500 0.13 10 38 24 0.25 500
IFA57SA50LC SOT-227 (Iso) DISCRETE N 500 0.08 10 57 36 0.20 625
IFB180SA10 SOT-227 (Iso) DISCRETE N 100 0.0065 10 180 120 0.26 480
Polarity - полярность
Gate Drive - разновидность схемы управления затвором
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) max (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
@Vgs (Gate-to-Source Voltage) - нормированное напряжение затвор-исток, при котором происходит открытие канала транзистора
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники