Модульные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® фирмы International Rectifier
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Polarity |
VBRdss (V) |
Rds(on) -- baseline (ohms) |
@ Vgs |
ID @ 25C (A) |
Id @ 100C (A) |
Rth(JC) |
Мощность рассеяния (W) |
 I19MT050XF |
MTP |
Full-Bridge FREDFET |
N |
500 |
0.152 |
10 |
31 |
19 |
62.5 |
1000 |
| IFA38SA50LC |
SOT-227 (Iso) |
DISCRETE |
N |
500 |
0.13 |
10 |
38 |
24 |
0.25 |
500 |
| IFA57SA50LC |
SOT-227 (Iso) |
DISCRETE |
N |
500 |
0.08 |
10 |
57 |
36 |
0.20 |
625 |
| IFB180SA10 |
SOT-227 (Iso) |
DISCRETE |
N |
100 |
0.0065 |
10 |
180 |
120 |
0.26 |
480 |
- Polarity - полярность
- Gate Drive - разновидность схемы управления затвором
- BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- RDS(on) max (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
- @Vgs (Gate-to-Source Voltage) - нормированное напряжение затвор-исток, при котором происходит открытие канала транзистора
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
|
