В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Двойные N- и P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET®

Типономинал Корпус Схема Polarity Gate Drive BVDSS Rds(on) /N-channel (mOhms) max Rds(on) /P-channel (mOhms) max @ Vgs ID @ 25C /N-channel (A) ID @ 25C /P-channel (A) Id @ 70C N-Channel Id @ 70C P-Channel Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF5851 Micro 6 1 N / 1 P DUAL 3V DRIVE 20 90.0 135.0 4.5 2.7 -2.2 2.2 -1.7 130 0.96
IRF7105 SO-8 1 N / 1 P DUAL LOGIC 25 109.0 250.0 4.5 3.5 -2.3 2.8 -1.8 62.5 2.0
IRF7307 SO-8 1 N / 1 P DUAL 3V DRIVE 20 50.0 90.0 4.5 4.3 -3.6 3.4 -2.9 90 1.4
IRF7309 SO-8 1 N / 1 P DUAL LOGIC 30 50.0 100.0 4.5 4.9 -3.6 3.9 -2.9 62.5 2.0
IRF7317 SO-8 1 N / 1 P DUAL 3V DRIVE 20 46.0 98.0 2.7 6.6 -5.3 5.3 -4.3 62.5 2.0
IRF7319 SO-8 1 N / 1 P DUAL LOGIC 30 46.0 98.0 4.5 6.5 -4.9 5.2 -3.9 62.5 2.0
IRF7338 SO-8 1 N / 1 P DUAL LOGIC 12 34.0 150.0 4.5 6.3 -3.0 5.2 -2.5 62.5 2.0
IRF7343 SO-8 1 N / 1 P DUAL LOGIC 55 43.0 56.0 10 4.7 -3.4 3.8 -2.7 62.5 2
IRF7350 SO-8 1 N / 1 P DUAL STANDARD 100 210.0 420.0 10 2.1 -1.5 1.3 -1 62.5 2.0
IRF7379 SO-8 1 N / 1 P DUAL LOGIC 30 38.0 70.0 10 5.8 -4.3 4.6 -3.4 50 2.5
IRF7389 SO-8 1 N / 1 P DUAL LOGIC 30 29.0 58.0 4.5 7.3 -5.3 5.9 -4.2 50 2.5
IRF7507 Micro 8 1 N / 1 P DUAL 3V DRIVE 20 135.0 270.0 2.7 2.4 -1.7 1.9 -1.4 100 1.25
IRF7509 Micro 8 1 N / 1 P DUAL LOGIC 30 135.0 270.0 4.5 2.4 -1.7 1.9 -1.4 100 1.25
IRF9952 SO-8 1 N / 1 P DUAL LOGIC 30 100.0 250.0 10 3.5 -2.3 2.8 -1.8 62.5 2.0
Polarity - полярность
Gate Drive - разновидность схемы управления затвором
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) max (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
@Vgs (Gate-to-Source Voltage) - нормированное напряжение затвор-исток, при котором происходит открытие канала транзистора
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники