В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Двойные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET®

Типономинал Корпус Схема Polarity Gate Drive BVDSS Rds(on) /P-channel (mOhms) max @ Vgs ID @ 25C /P-channel (A) Id @ 70C P-Channel Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF5810 TSOP-6 DUAL P P 2.5V DRIVE -20 135.0 -4.5   -2.3 130 0.96
IRF5850 TSOP-6 DUAL P P 3V DRIVE -20 135.0 -4.5 -2.2 -1.8 130 0.96
IRF7104 SO-8 DUAL P P LOGIC -20 250.0 -4.5 -2.3 -1.8 62.5 2.0
IRF7304 SO-8 DUAL P P 3V DRIVE -20 90.0 -4.5 -4.3 -3.4 62.5 2.0
IRF7306 SO-8 DUAL P P LOGIC -30 100.0 -4.5 -3.6 -2.9 62.5 2.0
IRF7314 SO-8 DUAL P P LOGIC -20 58.0 -10 -5.3 -4.3 62.5 2.0
IRF7314Q SO-8 DUAL P P 3V DRIVE -20 58.0 -4.5 -5.2 -4.3 62.5 2.4
IRF7316 SO-8 DUAL P P LOGIC -30 58.0 -10 -4.9 -3.9 62.5 2.0
IRF7324 SO-8 DUAL P P 4.5V LOGIC -20 180.0 -4.5 -9.0 -7.1 62.5 2.0
IRF7325 SO-8 DUAL P P 3V DRIVE -12 24.0 -4.5 -7.8 -6.2 62.5 2.0
IRF7328 SO-8 DUAL P P LOGIC -30 21.0 -10 -8.0 -6.4 62.5 2.0
IRF7329 SO-8 DUAL P P 1.8V DRIVE -12 170.0 -4.5 -9.2 -7.4 62.5 2.0
IRF7342 SO-8 DUAL P P LOGIC -55 105.0 -10 -3.4 -2.7 62.5 2.0
IRF7504 Micro 8 DUAL P P 3V DRIVE -20 270.0 -2.7 -1.7 -1.4 100 1.25
IRF7506 Micro 8 DUAL P P LOGIC -30 270.0 -4.5 -1.7 -1.4 100 1.25
IRF7555 Micro 8 DUAL P P LOGIC -20 55.0 -4.5 -4.3   100 1.25
IRF7750 TSSOP-8 DUAL P P 3V DRIVE -20 30.0 -4.5 +/-4.7 -3.8 125 1.0
IRF7751 TSSOP-8 DUAL P P LOGIC -30 35.0 -10 -4.5 -3.6 125 1.0
IRF7754 TSSOP-8 DUAL P P 3V DRIVE -12 25.0 -4.5 -5.5 -4.4 125 1
IRF7755 TSSOP-8 DUAL P P LOGIC -20 3700.0 -4.5 -3.9 -3.1 125 1
Типономинал Корпус Схема Polarity Gate Drive BVDSS Rds(on) /P-channel (mOhms) max @ Vgs ID @ 25C /P-channel (A) Id @ 70C P-Channel Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF7756 TSSOP-8 DUAL P P 1.8V DRIVE -12 58.0 -2.7 -3.4   125 1.0
IRF9953 SO-8 DUAL P P LOGIC -30 250.0 -10 -2.3 -1.8 62.5 2.0
Polarity - полярность
Gate Drive - разновидность схемы управления затвором
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) max (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
@Vgs (Gate-to-Source Voltage) - нормированное напряжение затвор-исток, при котором происходит открытие канала транзистора
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники