Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 




Мероприятия:




Двойные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET®

Типономинал Корпус Схема Polarity Gate Drive BVDSS Rds(on) /N-channel (mOhms) max @ Vgs ID @ 25C /N-channel (A) Id @ 70C N-Channel Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF5852 TSOP-6 DUAL N N 3V DRIVE 20 90.0 4.5 2.7 2.2 130 0.96
IRF6156 6-Lead FlipFET DUAL N N-BIDIRECTIONAL 2.5V DRIVE 20 40.0 4.5 6.5 5.2 50 2.5
IRF7101 SO-8 DUAL N N LOGIC 20 100.0 4.5 3.5 2.3 62.5 2.0
IRF7103 SO-8 DUAL N N LOGIC 50 130.0 4.5 3.0 2.3 62.5 2.0
IRF7103Q SO-8 DUAL N N LOGIC 50 1500.0 4.5 3.0 2.5 50 2.4
IRF7301 SO-8 DUAL N N 3V DRIVE 20 50.0 4.5 5.2 4.1 62.5 2.0
IRF7303 SO-8 DUAL N N LOGIC 30 80.0 4.5 4.9 3.9 62.5 2.0
IRF7311 SO-8 DUAL N N LOGIC 20 29.0 10 6.6 5.3 62.5 2.0
IRF7313 SO-8 DUAL N N LOGIC 30 29.0 10 6.5 5.2 62.5 2.0
IRF7331 SO-8 DUAL N N LOGIC 20 30.0 4.5 7.0   62.5 2.0
IRF7341 SO-8 DUAL N N LOGIC 55 43.0 10 4.7 3.8 62.5 2.0
IRF7341Q SO-8 DUAL N N LOGIC 55 65.0 4.5 5.1 4.2 62.5 2.4
IRF7380 SO-8 DUAL N N STANDARD 80 73.0 10 3.6 2.8 50 2.0
IRF7501 Micro 8 DUAL N N 3V DRIVE 20 135.0 2.7 2.4 1.9 100 1.2
IRF7503 Micro 8 DUAL N N LOGIC 30 135.0 4.5 2.4 1.9 100 1.25
IRF7530 Micro 8 DUAL N N 3V DRIVE 20 30.0 4.5 5.4 4.3 100 1.3
IRF7752 TSSOP-8 DUAL N N LOGIC 30 30.0 10 4.6 3.7 125 1.0
IRF7757 TSSOP-8 DUAL N N 3V DRIVE 20 35.0 4.5 4.8 3.9 105 1.2
IRF7910 SO-8 DUAL N N LOGIC 12 15.0 4.5 10 7.9 62.5 2.0
IRF8910 SO-8 DUAL N N 4.5V LOGIC 20 18.3 4.5 10 8.3 62.5 2.0
Типономинал Корпус Схема Polarity Gate Drive BVDSS Rds(on) /N-channel (mOhms) max @ Vgs ID @ 25C /N-channel (A) Id @ 70C N-Channel Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF8915 SO-8 DUAL N N 4.5V LOGIC 20 27.0 4.5 8.9 7.1 62.5 2.0
IRF9910 SO-8 DUAL N N 4.5V LOGIC 20 18.3 4.5 10 8.3 62.5 2.0
IRF9956 SO-8 DUAL N N LOGIC 30 100.0 10 3.5 2.8 62.5 2.0
Polarity - полярность
Gate Drive - разновидность схемы управления затвором
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) max (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
@Vgs (Gate-to-Source Voltage) - нормированное напряжение затвор-исток, при котором происходит открытие канала транзистора
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники